[发明专利]一种用于半导体制造的供气系统及供气方法

说明书

本发明公开了一种用于半导体制造的供气系统及供气方法，属于半导体技术领域，用以解决现有技术中供气系统无法对其是否处于被污染状态进行检测的问题。本发明的供气系统包括主气源、压缩气体配件和气体纯度分析仪，主气源通过压缩气体配件与晶圆处理设备的进气口连接，气体纯度分析仪设于压缩气体配件与晶圆处理设备的连接管路上。本发明的供气方法包括如下步骤：更换主气源和压缩气体配件后开启主气源或者在主气源供气过程中，开启气体纯度分析仪，检测主气源供气的气体纯度。本发明的供气系统和供气方法可用于晶圆制造。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种用于半导体制造的供气系统及供气方法。

背景技术

半导体工艺中，通常使用气体对晶圆进行处理，供气系统主要利用储藏柜(Cabinet)和阀门箱(Valve Manifold Box，VMB)实现气体的正常供应，具体来说，供气系统通常包括大宗供气系统(Bulk Specialty Gas System，BSGS)、气体储藏柜(Gas Cabinet)、阀门箱和气体混合系统(Gas Mixer System)。某些特殊的供气系统还具有气体安全装置、用于防止错误操作的联锁、报警机能、防爆技能、上位感应、支援通信、生产和供应连续混合气体机能等。

供气系统在使用过程中，由于不同厂家生产的主气源使用的标准接口不尽相同，主气源瓶口的接口方式也不尽相同，因此，主气源通常需要通过压缩气体配件(CompressGas Association，CGA)与其他管路连接。值得注意的是，更换主气源时，需要更换相应的压缩气体配件，在更换过程中，压缩气体配件中会流入大气成分，流入的大气成分会污染供气系统，在供气系统正常供气前，需要对压缩气体配件进行加压或减压的反复活动来去除大气成分的污染并确认是否存在泄漏问题。

但是，现有的供气系统无法对其是否处于被污染状态进行检测，导致供气系统供应的气体质量存在不确定性，从而造成晶圆在制造过程中产生不良。

发明内容

鉴于以上分析，本发明旨在提供一种用于半导体制造的供气系统及供气方法，用以解决现有技术中供气系统无法对其是否处于被污染状态进行检测的问题。

本发明的目的主要是通过以下技术方案实现的：

本发明提供了一种用于半导体制造的供气系统，包括主气源、压缩气体配件和气体纯度分析仪，主气源通过压缩气体配件与晶圆处理设备(例如，刻蚀设备)的进气口连接，气体纯度分析仪设于压缩气体配件与晶圆处理设备的连接管路上。

进一步地，上述气体纯度分析仪包括设于连接管路侧壁的激光发光部和激光受光部以及与激光发光部和激光受光部连接的分析控制器，激光发光部和激光受光部的位置相对应，激光发光部发射的激光穿过连接管路，激光受光部接收激光并将激光信号传送至分析控制器，分析控制器根据激光信号分析得到气体的纯度。

进一步地，上述连接管路上还包括与分析控制器连接的自动切断阀，当分析控制器测得的气体的纯度低于阈值时，分析控制器控制自动切断阀关闭。

进一步地，上述用于半导体制造的供气系统还包括与分析控制器连接的报警器。

进一步地，上述用于半导体制造的供气系统还包括设于连接管路上的调压阀。

进一步地，上述用于半导体制造的供气系统还包括供气压力表和调压压力表，沿气体的流动方向，供气压力表、调压阀和调压压力表依次设置。

进一步地，上述连接管路上设有处理开关阀，通过处理开关阀控制连接管路的连通和断开。

进一步地，上述用于半导体制造的供气系统还包括设于连接管路上的氮气支路以及与氮气管路连接的氮主气源，氮气支路的一端与连接支路连接，氮气支路的另一端与单主气源连接。

进一步地，上述氮气支路上设有氮气开关阀，通过氮气开关阀控制氮气支路的连通和断开。