[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110185348.2 | 申请日： | 2021-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN113345960A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 陈奎铭;陈祈铭;喻中一 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请的各种实施例针对包括粗糙缓冲层的III‑V族器件。粗糙缓冲层位于硅衬底上面，缓冲结构位于粗糙缓冲层上面，异质结结构位于缓冲结构上面。缓冲结构导致能带弯曲，并且在粗糙缓冲层中形成二维空穴气体(2DHG)。粗糙缓冲层包括硅或者一些其他合适的半导体材料，并且在一些实施例中，是掺杂的。粗糙缓冲层的顶面和/或粗糙缓冲层的底面是粗糙的，以促进载流子沿着顶面和底面的散射。载流子散射会降低载流子迁移率，并且增加2DHG处的电阻。增大的电阻增加了硅衬底的整体电阻，这减小了衬底损耗，并且增加了功率附加效率(PAE)。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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