[发明专利]半导体器件处理设备及处理方法在审
| 申请号： | 202110184661.4 | 申请日： | 2021-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN112908902A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 范险林;李义奇;陈松超;陈龙;董智超 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C23C16/455;C23C16/52 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430079 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件处理设备及处理方法。所述半导体器件处理设备包括腔室、多个载台、多个第一进气通道以及控制器。多个载台设于所述腔室内，用于承载多个待处理的半导体器件。多个第一进气通道用于向所述腔室输入多种反应气体，所述多个第一进气通道中的至少一个第一进气通道具有延伸到所述多个载台附近的多个分支通道，各个分支通道用于将所述反应气体输送至对应载台上的半导体器件的第一表面处，每一分支通道上设有第一阀门。控制器配置为：获取与各所述半导体器件对应的至少一种反应参数，且根据各所述半导体器件的反应参数控制对应的所述第一阀门的开启和关闭。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 处理 设备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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