[发明专利]半导体器件处理设备及处理方法

权利要求书

1.一种半导体器件处理设备，包括：

腔室；

多个载台，设于所述腔室内，用于承载多个待处理的半导体器件；

多个第一进气通道，用于向所述腔室输入多种反应气体，所述多个第一进气通道中的至少一个第一进气通道具有延伸到所述多个载台附近的多个分支通道，各个分支通道用于将所述反应气体输送至对应载台上的半导体器件的第一表面处，每一分支通道上设有第一阀门；

控制器，所述控制器配置为：获取与各所述半导体器件对应的至少一种反应参数，且根据所述各所述半导体器件的反应参数控制对应的所述第一阀门的开启和关闭。

2.如权利要求1所述的半导体器件处理设备，其特征在于，所述半导体器件处理设备包括沉积设备，所述至少一种反应参数与在对应的半导体器件上所沉积的薄膜的厚度有关。

3.如权利要求2所述的半导体器件处理设备，其特征在于，所述载台是镂空的以暴露所述半导体器件背面，所述沉积设备适于在所述半导体器件背面沉积薄膜。

4.如权利要求1所述的半导体器件处理设备，其特征在于，所述至少一种反应参数包括反应时间。

5.如权利要求1所述的半导体器件处理设备，其特征在于，所述至少一个第一进气通道包括用于传输活泼反应气体的第一进气通道。

6.如权利要求1所述的半导体器件处理设备，其特征在于，还包括至少一个第二进气通道，用于传输保护气体到所述多个待处理的半导体器件的第二表面处，所述第二表面与所述第一表面相对。

7.如权利要求1所述的半导体器件处理设备，其特征在于，所述多个载台的数量为四个。

8.一种半导体器件处理方法，用于半导体器件处理设备，所述半导体器件处理设备包括腔室和用于承载多个半导体器件的多个载台，所述方法包括以下步骤：

将待处理的半导体器件置于所述载台上；

通过多个第一进气通道向所述腔室输入多种反应气体，其中所述多个第一进气通道中的至少一个第一进气通道具有延伸到所述多个载台附近的多个分支通道，各个分支通道用于将所述反应气体输送至对应载台上的半导体器件的第一表面处，每一分支通道上设有第一阀门；

获取与各所述半导体器件对应的至少一种反应参数；

根据各所述半导体器件的至少一种反应参数控制与各所述半导体器件对应的所述第一阀门的开启和关闭。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述半导体器件处理设备包括沉积设备，所述至少一种反应参数与在对应的半导体器件上所沉积的薄膜的厚度有关。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述薄膜的厚度是根据对应的半导体器件的弯曲度确定。

11.如权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述至少一种反应参数包括反应时间。

12.如权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述至少一个第一进气通道包括用于传输活泼反应气体的第一进气通道。

13.权利要求8或9所述的方法，其特征在于，通过载气输送所述各种反应气体，且当关闭某个第一阀门以停止某种反应气体时，根据该种反应气体与对应载气之比决定是否要提高所述对应载气的流量。

14.一种半导体器件的制作方法，用于半导体器件处理设备，所述半导体器件处理备包括腔室和用于承载多个半导体器件的多个载台，所述方法包括以下步骤：

提供衬底，所述衬底具有相对的正面和背面，所述衬底的正面上形成有堆叠结构，所述堆叠结构包括沿垂直于所述衬底的方向交错堆叠的若干层绝缘层和若干层栅极层；

在所述衬底的背面上形成至少一个应力层，所述至少一个应力层用于抵消使所述衬底发生弯曲的应力，其中形成所述至少一个应力层的方法包括如权利要求9-13任一项所述的方法。