[发明专利]半导体器件处理设备及处理方法

说明书

本发明提供了一种半导体器件处理设备及处理方法。所述半导体器件处理设备包括腔室、多个载台、多个第一进气通道以及控制器。多个载台设于所述腔室内，用于承载多个待处理的半导体器件。多个第一进气通道用于向所述腔室输入多种反应气体，所述多个第一进气通道中的至少一个第一进气通道具有延伸到所述多个载台附近的多个分支通道，各个分支通道用于将所述反应气体输送至对应载台上的半导体器件的第一表面处，每一分支通道上设有第一阀门。控制器配置为：获取与各所述半导体器件对应的至少一种反应参数，且根据各所述半导体器件的反应参数控制对应的所述第一阀门的开启和关闭。

技术领域

本发明主要涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体器件处理设备及处理方法。

背景技术

沉积设备用于在半导体器件上沉积薄膜。一些沉积设备在腔室中包括多个载台，每个载台承载一个半导体器件。沉积设备能够同时对多个载台的半导体器件沉积薄膜，从而提高产能。

典型地，沉积设备中沉积薄膜的工艺参数是统一的，这导致沉积设备在半导体器件上沉积的薄膜参数是近似的。而在有些情况下，多个半导体器件上需要沉积的薄膜参数，例如厚度是不同的。目前，为了使得沉积的薄膜参数尽可能接近要求，会将薄膜参数要求相近的多个半导体器件放在同一沉积设备中。然而，当薄膜参数要求相近的半导体器件数量少于载台数量时，沉积设备的处理能力未被充分利用，从而降低了产能。

在诸如外延、掺杂、刻蚀、离子注入等设备中，也存在一次性处理多个半导体器件的同时精确控制半导体器件的参数的需求。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种半导体器件处理设备及处理方法，可以在一个处理设备中更精确地控制半导体器件参数，满足各个半导体器件的要求。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种半导体器件处理设备，包括腔室、多个载台、多个第一进气通道以及控制器。多个载台设于所述腔室内，用于承载多个待处理的半导体器件。多个第一进气通道用于向所述腔室输入多种反应气体，所述多个第一进气通道中的至少一个第一进气通道具有延伸到所述多个载台附近的多个分支通道，各个分支通道用于将所述反应气体输送至对应载台上的半导体器件的第一表面处，每一分支通道上设有第一阀门。控制器配置为：获取与各所述半导体器件对应的至少一种反应参数，且根据各所述半导体器件的反应参数控制对应的所述第一阀门的开启和关闭。

在本申请的一实施例中，所述半导体器件处理设备包括薄膜沉积设备，所述至少一种反应参数与在对应的半导体器件上所沉积的薄膜的厚度有关。

在本申请的一实施例中，所述载台是镂空的以暴露所述半导体器件背面，所述沉积设备适于在所述半导体器件背面沉积薄膜。

在本申请的一实施例中，所述至少一种反应参数包括反应时间。

在本申请的一实施例中，所述至少一个第一进气通道包括用于传输活泼反应气体的第一进气通道。

在本申请的一实施例中，还包括至少一个第二进气通道，用于传输保护气体到所述多个待处理的半导体器件的第二表面处，所述第二表面与所述第一表面相对。

本申请的另一方面提出一种半导体器件处理方法，用于半导体器件处理设备，所述半导体器件处理设备包括腔室和用于承载多个半导体器件的多个载台，所述方法包括以下步骤：将待处理的半导体器件置于所述载台上；通过多个第一进气通道向所述腔室输入多种反应气体，其中所述多个第一进气通道中的至少一个第一进气通道具有延伸到所述多个载台附近的多个分支通道，各个分支通道用于将所述反应气体输送至对应载台上的半导体器件的第一表面处，每一分支通道上设有第一阀门；获取与各所述半导体器件对应的至少一种反应参数；且根据各所述半导体器件的至少一种反应参数控制与各所述半导体器件对应的所述第一阀门的开启和关闭。

在本申请的一实施例中，所述半导体器件处理设备包括沉积设备，所述至少一种反应参数与在对应的半导体器件上所沉积的薄膜的厚度有关。