[发明专利]一种三维存储器的制作方法及三维存储器有效
| 申请号： | 202110177231.X | 申请日： | 2021-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN112713152B | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 吴保润;沈保家;刘小辉;艾义明 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/30 | 分类号： | H10B43/30;H10B43/27;H10B41/30;H10B41/27 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 尹秀 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种三维存储器的制作方法及三维存储器，该制作方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成堆叠结构；在所述堆叠结构中形成多个通道孔；在所述通道孔侧壁形成半导体层；将等离子体注入到所述通道孔的第一区域，使得所述半导体层位于所述通道孔第一区域的部分的被氧化能力弱于所述半导体层位于所述通道孔第二区域的部分的被氧化能力，其中所述半导体层第一区域位于所述半导体层第二区域背离所述衬底一侧，从而能够在氧化所述半导体层，形成位于所述通道孔侧壁的氧化层时，使得更多的氧原子能够到达所述半导体层位于所述通道孔第二区域的部分，有助于在所述通道孔侧壁形成厚度较均匀的氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 存储器 制作方法 | ||
【主权项】：
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