[发明专利]一种三维存储器的制作方法及三维存储器

权利要求书

1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成堆叠结构；

在所述堆叠结构中形成贯穿所述堆叠结构并延伸至所述衬底表面的多个通道孔，其中，所述通道孔的延伸方向垂直于所述衬底；

在所述通道孔侧壁形成半导体层；

将等离子体注入到所述通道孔的第一区域，使得所述半导体层位于所述通道孔第一区域的部分的被氧化能力弱于所述半导体层位于所述通道孔第二区域的部分的被氧化能力，其中所述通道孔第一区域位于所述通道孔第二区域背离所述衬底的一侧；

氧化所述半导体层，形成位于所述通道孔侧壁的氧化层；

所述等离子体至少包括氦等离子体，所述半导体层为氮化硅层，将等离子体注入到所述通道孔的第一区域，使得所述半导体层位于所述通道孔第一区域的部分的被氧化能力弱于所述半导体层位于所述通道孔第二区域的部分的被氧化能力包括：

将至少所述氦等离子体注入到所述通道孔的第一区域，使得所述半导体层位于所述通道孔第一区域部分中的氢原子个数的比例由第一数值降低为第二数值，从而使得所述半导体层位于所述通道孔第一区域部分中的氮原子个数的比例由第三数值增大为第四数值，进而使得所述半导体层位于所述通道孔第一区域的部分的被氧化能力弱于所述半导体层位于所述通道孔第二区域的部分的被氧化能力；

其中，将至少所述氦等离子体注入到所述通道孔第一区域之前，所述半导体层位于所述通道孔第一区域部分中的氢原子个数的比例和所述半导体层位于所述通道孔第二区域部分中的氢原子个数的比例均为所述第一数值，所述半导体层位于所述通道孔第一区域部分中的氮原子个数的比例和所述半导体层位于所述通道孔第二区域部分中的氮原子个数的比例均为所述第三数值。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述通道孔的第一区域为从所述通道孔顶端向下延伸的区域，该区域的长度占所述通道孔整体长度的30％～40％。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述等离子体包括氮等离子体和氦等离子体。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，氧化所述半导体层，形成位于所述通道孔侧壁的氧化层包括：

氧化所述半导体层，在所述通道孔第一区域形成第一氧化层，在所述通道孔第二区域形成第二氧化层，所述第一氧化层和所述第二氧化层构成所述氧化层，所述第一氧化层位于所述第二氧化层背离所述衬底一侧。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述氧化层的厚度最小处与所述氧化层的厚度最大处的比值不小于0.9。

6.根据权利要求1至5任一项所述的制作方法，其特征在于，氧化所述半导体层，形成位于所述通道孔侧壁的氧化层包括：

利用激发态的氧原子氧化所述半导体层形成所述氧化层。

7.一种三维存储器，其特征在于，该三维存储器为利用权利要求1-6任一项所述的方法制作的三维存储器，该三维存储器包括：

衬底；

位于所述衬底上的堆叠结构，以及贯穿所述堆叠结构并延伸至所述衬底表面的多个通道孔，其中，所述通道孔的延伸方向垂直于所述衬底；

位于所述通道孔侧壁的氧化层；

其中，所述氧化层包括位于所述通道孔第一区域的部分和位于所述通道孔第二区域的部分，相同氧化浓度下，所述氧化层位于所述通道孔第一区域的部分的生成速率小于所述氧化层位于所述通道孔第二区域的部分的生成速率，所述通道孔第一区域位于所述通道孔第二区域背离所述衬底的一侧。

8.根据权利要求7所述的三维存储器，其特征在于，所述通道孔第一区域为从所述通道孔顶端向下延伸的区域，该区域的长度占所述通道孔整体长度的30％～40％。

9.根据权利要求7所述的三维存储器，其特征在于，所述氧化层的厚度最小处与所述氧化层的厚度最大处的比值不小于0.9。