[发明专利]半导体结构的熔断填充方法及半导体结构有效
| 申请号： | 202110177190.4 | 申请日： | 2021-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN113013090B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 宫光彩 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/525;H01L23/528;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海;袁礼君 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构的熔断填充方法及半导体结构。半导体结构的熔断填充方法包括：提供一半导体结构本体，半导体结构本体内形成有多个熔断器阵列组；熔断熔断器阵列组的互连结构，以在半导体结构本体上形成缺口；在半导体结构本体上形成遮挡层，遮挡层上形成有暴露缺口的通孔；在缺口内形成密封材料层。通过在具有缺口的半导体结构本体上形成遮挡层，且遮挡层上形成有暴露缺口的通孔，即在后续填充缺口时，由于遮挡层的存在不会使得密封材料层大面积地直接覆盖半导体结构本体，避免了后续的清理，且可以保证缺口内可靠地形成密封材料层，以此隔绝外部危险因素的侵入，以此改善半导体结构的使用性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 熔断 填充 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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