[发明专利]半导体结构的熔断填充方法及半导体结构

说明书

本发明涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构的熔断填充方法及半导体结构。半导体结构的熔断填充方法包括：提供一半导体结构本体，半导体结构本体内形成有多个熔断器阵列组；熔断熔断器阵列组的互连结构，以在半导体结构本体上形成缺口；在半导体结构本体上形成遮挡层，遮挡层上形成有暴露缺口的通孔；在缺口内形成密封材料层。通过在具有缺口的半导体结构本体上形成遮挡层，且遮挡层上形成有暴露缺口的通孔，即在后续填充缺口时，由于遮挡层的存在不会使得密封材料层大面积地直接覆盖半导体结构本体，避免了后续的清理，且可以保证缺口内可靠地形成密封材料层，以此隔绝外部危险因素的侵入，以此改善半导体结构的使用性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构的熔断填充方法及半导体结构。

背景技术

相关技术中，半导体结构内形成有多个熔断器阵列组。在测试过程中如果有部分熔断器阵列组出现问题，则可以通过激光高温的方式来烧断后端互连线路来改变连接结构。在烧断后端互连线路后，半导体结构上会形成一个缺口，相关技术中并未对缺口进行保护，致使烧断后的后端互连侧面会受到外部干扰，从而影响半导体结构的使用性能。

发明内容

本发明提供一种半导体结构的熔断填充方法及半导体结构，以改善半导体结构的性能。

根据本发明的第一个方面，提供了一种半导体结构的熔断填充方法，包括：

提供一半导体结构本体，半导体结构本体内形成有多个熔断器阵列组；

熔断熔断器阵列组的互连结构，以在半导体结构本体上形成缺口；

在半导体结构本体上形成遮挡层，遮挡层上形成有暴露缺口的通孔；

在缺口内形成密封材料层。

在本发明的一个实施例中，遮挡层由硬质材料制备而成。

在本发明的一个实施例中，遮挡层由高分子材料、陶瓷、或金属材料制备而成。

在本发明的一个实施例中，熔断多个熔断器阵列组，以在半导体结构本体上形成多个独立的缺口。

在本发明的一个实施例中，遮挡层上形成有多个通孔，多个通孔分别暴露多个缺口。

在本发明的一个实施例中，通孔为一个，通孔暴露多个缺口。

在本发明的一个实施例中，通孔的面积大于缺口的面积，以使密封材料层覆盖半导体结构本体的部分上表面。

在本发明的一个实施例中，形成密封材料层包括：

在遮挡层上形成初始密封材料层，初始密封材料层覆盖遮挡层，且填充缺口和通孔；

去除遮挡层和覆盖遮挡层的初始密封材料层，并使得剩余的初始密封材料层作为密封材料层。

在本发明的一个实施例中，同步去除遮挡层和覆盖遮挡层的初始密封材料层。

在本发明的一个实施例中，在固化形成密封材料层之前，通过去除遮挡层，以将覆盖遮挡层的初始密封材料层去除。

在本发明的一个实施例中，先去除覆盖遮挡层的初始密封材料层，然后去除遮挡层。

在本发明的一个实施例中，去除覆盖遮挡层的初始密封材料层之前，固化初始密封材料层。

在本发明的一个实施例中，形成遮挡层包括：

使得遮挡层上的第一定位部与半导体结构本体上的第二定位部相对设置，以使通孔暴露缺口。

在本发明的一个实施例中，半导体结构的熔断填充方法还包括：

去除遮挡层；

清理密封材料层的外表面。