[发明专利]半导体结构的熔断填充方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的熔断填充方法，其特征在于，包括：

提供一半导体结构本体，所述半导体结构本体内形成有多个熔断器阵列组；

熔断所述熔断器阵列组的互连结构，以在所述半导体结构本体上形成缺口；

在所述半导体结构本体上形成遮挡层，所述遮挡层上形成有暴露所述缺口的通孔；

在所述缺口内形成密封材料层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的熔断填充方法，其特征在于，所述遮挡层由硬质材料制备而成。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的熔断填充方法，其特征在于，所述遮挡层由高分子材料、陶瓷、或金属材料制备而成。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的熔断填充方法，其特征在于，熔断多个所述熔断器阵列组，以在所述半导体结构本体上形成多个独立的缺口。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的熔断填充方法，其特征在于，所述遮挡层上形成有多个所述通孔，多个所述通孔分别暴露多个所述缺口。

6.根据权利要求4所述的半导体结构的熔断填充方法，其特征在于，一个所述通孔暴露多个所述缺口。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的熔断填充方法，其特征在于，所述通孔的面积大于所述缺口的面积，以使所述密封材料层覆盖所述半导体结构本体的部分上表面。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体结构的熔断填充方法，其特征在于，形成所述密封材料层包括：

在所述遮挡层上形成初始密封材料层，所述初始密封材料层覆盖所述遮挡层，且填充所述缺口和所述通孔；

去除所述遮挡层和覆盖所述遮挡层的初始密封材料层，并使得剩余的所述初始密封材料层作为所述密封材料层。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的熔断填充方法，其特征在于，同步去除所述遮挡层和覆盖所述遮挡层的初始密封材料层。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的熔断填充方法，其特征在于，在固化形成所述密封材料层之前，通过去除所述遮挡层，以将覆盖所述遮挡层的所述初始密封材料层去除。

11.根据权利要求8所述的半导体结构的熔断填充方法，其特征在于，先去除覆盖所述遮挡层的所述初始密封材料层，然后去除所述遮挡层。

12.根据权利要求11所述的半导体结构的熔断填充方法，其特征在于，去除覆盖所述遮挡层的所述初始密封材料层之前，固化所述初始密封材料层。

13.根据权利要求1所述的半导体结构的熔断填充方法，其特征在于，形成所述遮挡层包括：

使得所述遮挡层上的第一定位部与所述半导体结构本体上的第二定位部相对设置，以使所述通孔暴露所述缺口。

14.根据权利要求1所述的半导体结构的熔断填充方法，其特征在于，所述半导体结构的熔断填充方法还包括：

去除所述遮挡层；

清理所述密封材料层的外表面。

15.一种半导体结构，其特征在于，通过权利要求1至14中任一项所述的半导体结构的熔断填充方法形成，所述半导体结构包括：

半导体结构本体，所述半导体结构本体内形成有多个熔断器阵列组，所述半导体结构本体上形成有缺口，所述熔断器阵列组的互连结构被熔断；

密封材料层，所述密封材料层位于所述缺口内。

16.根据权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述密封材料层突出所述半导体结构本体设置，以覆盖所述半导体结构本体的部分上表面。

17.根据权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

密封圈，所述密封圈为多个，各个所述熔断器阵列组分别位于各个所述密封圈内。