[发明专利]半导体晶片及其制造方法在审
| 申请号： | 202110162394.0 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN113437059A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 饭岛纯;中木宽 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L27/11568;H01L27/11582;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文描述的实施例涉及一种半导体晶片及其制造方法。在一个实施例中，一种半导体晶片包含第一衬底、提供在所述第一衬底上的第一绝缘体，及提供在所述第一绝缘体中的多个第一垫。所述晶片进一步包含提供在所述第一绝缘体上的第二绝缘体、提供在所述第二绝缘体中的所述第一垫上的多个第二垫、提供在所述第二绝缘体中的交替地包含多个第一绝缘层及多个第二绝缘层的堆叠膜，及提供在所述第二绝缘体上的第二衬底。此外，所述第一绝缘体及所述第二绝缘体在所述第一绝缘体的边缘面与所述第二绝缘体的边缘面之间相互连接，且所述第二绝缘体在所述第一及第二绝缘体的所述边缘面处介入在所述第一绝缘体与所述堆叠膜之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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