[发明专利]半导体晶片及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体晶片，其包括：

第一衬底；

第一绝缘体，所述第一绝缘体提供在所述第一衬底上；

多个第一垫，所述多个第一垫提供在所述第一绝缘体中；

第二绝缘体，所述第二绝缘体提供在所述第一绝缘体上；

多个第二垫，所述多个第二垫提供在所述第二绝缘体中的所述第一垫上；

堆叠膜，所述堆叠膜提供在所述第二绝缘体中，交替地包含多个第一绝缘层及多个第二绝缘层；及

第二衬底，所述第二衬底提供在所述第二绝缘体上，

其中

所述第一绝缘体及所述第二绝缘体在所述第一绝缘体的边缘面与所述第二绝缘体的边缘面之间相互连接，且

所述第二绝缘体在所述第一及第二绝缘体的所述边缘面处介入在所述第一绝缘体与所述堆叠膜之间。

2.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中所述第一绝缘体的所述边缘面及所述第二绝缘体的所述边缘面是所述第一绝缘体的修整面及所述第二绝缘体的修整面。

3.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中所述堆叠膜包含：

第一堆叠膜，所述第一堆叠膜交替地包含所述第一绝缘层及所述第二绝缘层，及

第二堆叠膜，所述第二堆叠膜交替地包含所述第一绝缘层及所述第二绝缘层，且经由所述第二绝缘体的一部分提供在所述第一堆叠膜之下。

4.根据权利要求1所述的半导体晶片，其进一步包括多个电极层，所述多个电极层的提供的高度与所述多个所述第二绝缘层的高度相同。

5.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中所述第二衬底的边缘面提供在所述第二绝缘体的所述边缘面上。

6.根据权利要求5所述的半导体晶片，其中所述第二衬底的所述边缘面为所述第二衬底的修整面。

7.根据权利要求1所述的半导体晶片，其进一步包括：

存储单元阵列，所述存储单元阵列提供在所述第一衬底上方的所述第二绝缘体中，且电连接到第二垫，及

控制电路，所述控制电路提供在所述第一衬底上的所述第一绝缘体中，电连接到第一垫，且经配置以控制所述存储单元阵列。

8.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中所述第一绝缘层包含硅及氧，且所述第二绝缘层包含硅及氮。

9.一种半导体晶片制造方法，其包括：

在第一衬底上形成第一绝缘体；

在所述第一绝缘体中形成多个第一垫；

在第二衬底上形成堆叠膜，所述堆叠膜交替地包含多个第一绝缘层及多个第二绝缘层，及第二绝缘体；

在所述第二绝缘体中形成多个第二垫；

通过将形成在所述第一衬底上的所述第一垫及所述第一绝缘体分别接合到形成在所述第二衬底上的所述第二垫及所述第二绝缘体，将所述第二垫及所述第二绝缘体分别安置在所述第一垫及所述第一绝缘体上；及

修整所述第一及第二绝缘体，

其中

修整所述第一及第二绝缘体，使得所述第一绝缘体及所述第二绝缘体在所述第一绝缘体的边缘面与所述第二绝缘体的边缘面之间相互接触，且

修整所述第一及第二绝缘体，使得所述第二绝缘体在所述第一及第二绝缘体的所述边缘面处介入在所述第一绝缘体与所述堆叠膜之间。

10.根据权利要求9所述的半导体晶片制造方法，其中修整所述第一及第二绝缘体，使得所述堆叠膜包含：

第一堆叠膜，所述第一堆叠膜交替地包含所述第一绝缘层及所述第二绝缘层，及

第二堆叠膜，所述第二堆叠膜交替地包含所述第一绝缘层及所述第二绝缘层，且经由所述第二绝缘体的一部分提供在所述第一堆叠膜之下。

11.根据权利要求9所述的半导体晶片制造方法，其进一步包括用多个电极层替换所述多个第二绝缘层的部分。