[发明专利]半导体晶片及其制造方法

说明书

本文描述的实施例涉及一种半导体晶片及其制造方法。在一个实施例中，一种半导体晶片包含第一衬底、提供在所述第一衬底上的第一绝缘体，及提供在所述第一绝缘体中的多个第一垫。所述晶片进一步包含提供在所述第一绝缘体上的第二绝缘体、提供在所述第二绝缘体中的所述第一垫上的多个第二垫、提供在所述第二绝缘体中的交替地包含多个第一绝缘层及多个第二绝缘层的堆叠膜，及提供在所述第二绝缘体上的第二衬底。此外，所述第一绝缘体及所述第二绝缘体在所述第一绝缘体的边缘面与所述第二绝缘体的边缘面之间相互连接，且所述第二绝缘体在所述第一及第二绝缘体的所述边缘面处介入在所述第一绝缘体与所述堆叠膜之间。

相关申请案的交叉引用

本申请案是基于2020年3月23日申请的第2020-051539号在先日本专利申请案及2020年9月2日申请的第17/010,196号在先美国专利申请案并要求其优先权，其全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本文描述的实施例涉及半导体晶片及其制造方法。

背景技术

当通过接合晶片(衬底)的金属垫来制造半导体装置时，期望减少对晶片的边缘部分的浪费处置。

发明内容

在一个实施例中，一种半导体晶片包含第一衬底、提供在所述第一衬底上的第一绝缘体，及提供在所述第一绝缘体中的多个第一垫。所述晶片进一步包含提供在所述第一绝缘体上的第二绝缘体、提供在所述第二绝缘体中的所述第一垫上的多个第二垫、提供在所述第二绝缘体中的交替地包含多个第一绝缘层及多个第二绝缘层的堆叠膜，及提供在所述第二绝缘体上的第二衬底。此外，所述第一绝缘体及所述第二绝缘体在所述第一绝缘体的边缘面与所述第二绝缘体的边缘面之间相互连接，且所述第二绝缘体在所述第一及第二绝缘体的所述边缘面处介入在所述第一绝缘体与所述堆叠膜之间。

根据所述实施例，可减少对衬底的边缘部分或其类似者的浪费处置。

附图说明

图1是说明第一实施例的半导体装置的结构的横截面图；

图2是说明第一实施例的柱状部分CL的结构的横截面图；

图3及4是说明制造第一实施例的半导体装置的方法的横截面图；

图5A、5B、6A、6B、7A、7B、8A、8B是说明制造第一实施例的阵列晶片W1的方法的横截面图；

图9是说明第一实施例的电路晶片W2的制造方法的横截面图；

图10及11是说明第一实施例的半导体装置的制造方法的横截面图；

图12A、12B、13A、13B、14A、14B、15A、15B、16A、16B、17A、17B、18A、18B、19A、19B、20A、20B是说明制造第二实施例的阵列晶片W1的方法的横截面图；

图21A及21B是说明制造第二实施例的阵列晶片W1及电路晶片W2的方法的横截面图；且

图22及23是说明制造第二实施例的半导体装置的方法的横截面图。

具体实施方式

现将参考附图阐释实施例。在图1到23中，相同的组件由相同的参考符号表示，且将省略对其的重复描述。

(第一实施例)

图1是说明第一实施例的半导体装置的结构的横截面图。图1所说明的半导体装置是三维存储器，其包含接合在一起的阵列芯片1及电路芯片2。

阵列芯片1包含：包含多个存储单元的存储单元阵列11、存储单元阵列11上的绝缘体12，及存储单元阵列11之下的层间电介质13。绝缘体12例如是氧化硅膜或氮化硅膜。层间电介质13例如是氧化硅膜，或包含氧化硅膜及另一绝缘体的堆叠膜。层间电介质13是第二绝缘体的实例。