[发明专利]一种以微硅粉为Si源制备石墨基Si@C负极材料的方法在审
| 申请号： | 202110159087.7 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN112768672A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 盛婉婷;郭玉忠;李昆儒;李朕宇 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/583;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 昆明同聚专利代理有限公司 53214 | 代理人： | 王远同 |
| 地址： | 650000 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开一种以微硅粉为Si源制备石墨基Si@C负极材料的方法，所述方法为：将微硅粉进行预处理，然后与镁粉进行球磨混合、还原反应，再经酸洗、离心干燥，即得多孔晶体Si颗粒；将所制备的多孔晶体Si在配置好的PH为8.5的Tris缓冲溶液中与多巴胺均匀混合，使聚多巴胺沉积在Si颗粒的表面，对Si进行包覆，制备出Si@C核壳结构的复合体材料。该复合体材料拥有优异的电化学性能，具有较高的比容量、长循环寿命及高的容量保持率，稳定的循环寿命；碳层与其包裹的Si粒子的孔道结构，也为锂离子的脱、嵌缩短了扩散距离与时间；包覆的碳层增强了Si的导电性；Si@C核壳结构也避免了电解液与Si直接接触，形成不稳定的SEI膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微硅粉 si 制备 石墨 负极 材料 方法 | ||
【主权项】：
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