[发明专利]一种碳化硅晶体的制备方法在审
| 申请号： | 202110136778.5 | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN112921392A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 赵丽丽 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B28/06;C30B29/36 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 赵君 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区智谷二街3*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种碳化硅晶体的制备方法，它属于碳化硅晶体生长技术领域。本发明要解决的技术问题为减少由杂质气体引起的杂质渗入与籽晶粗糙度上升。本发明控制加热原料区和籽晶区的温度，调整籽晶区温度低于原料区温度的温度梯度的范围为1～50℃/cm，继续加热到反应容器内的温度为900～1700℃保持10～15min；向反应容器内充入惰性气体，调整籽晶区温度低于原料区温度的温度梯度的范围为1～50℃/cm，继续加热到反应容器内的温度为1800～2200℃开始晶体生长，保持反应容器内的温度，生长时间为30～80h，完成碳化硅晶体的制备。本发明能够降低碳化硅晶体的粗糙度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
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