[发明专利]一种碳化硅晶体的制备方法

权利要求书

1.一种碳化硅晶体的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤1、将籽晶固定于反应容器内的上法兰中心位置，将原料放入反应容器的坩埚内，密封反应容器后，对反应容器抽真空到10^-5～10^-3tor，然后保持反应容器的真空度在10^-5～10^-3tor的条件下，控制加热原料区和籽晶区的温度，调整籽晶区温度低于原料区温度的温度梯度的范围为1～50℃/cm，加热到反应容器内温度为500～600℃保持10～15min；

步骤2、保持反应容器的真空度在10^-5～10^-3tor，调整籽晶区温度高于原料区温度的温度梯度的范围为0.5～50℃/cm，继续加热到反应容器内的温度为900～1700℃保持10～15min；

步骤3、向反应容器内充入惰性气体到0.01～10atm，调整籽晶区温度低于原料区温度的温度梯度的范围为1～50℃/cm，继续加热到反应容器内的温度为1800～2200℃开始晶体生长，保持反应容器内的温度，生长时间为30～80h；

步骤4、降低反应容器内的温度为200～500℃时，充入氩气到常压，继续降温到室温，完成碳化硅晶体的制备。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体的制备方法，其特征在于：步骤1中反应容器为保温石英管。

3.根据权利要求1或2所述的一种碳化硅晶体的制备方法，其特征在于：通过伺服电机控制感应线圈托盘上安装的加热线圈，来控制籽晶区温度和原料区温度的温度梯度。

4.根据权利要求3所述的一种碳化硅晶体的制备方法，其特征在于：步骤1中伺服电机的移动速度为5cm/min，控制加热线圈下沿与坩埚底端距离为30cm，温度梯度的范围为10℃/cm。

5.根据权利要求4所述的一种碳化硅晶体的制备方法，其特征在于：步骤2中伺服电机的移动速度为5cm/min，控制加热线圈下沿与坩埚底端距离为14cm，温度梯度为0.5℃/cm。

6.根据权利要求5所述的一种碳化硅晶体的制备方法，其特征在于：步骤3中伺服电机的移动速度为5cm/min，控制加热线圈下沿与坩埚底端距离为27cm，温度梯度为5℃/cm。

7.根据权利要求6所述的一种碳化硅晶体的制备方法，其特征在于：步骤3中保持反应容器内的温度为1900℃，生长时间为50h。

8.根据权利要求7所述的一种碳化硅晶体的制备方法，其特征在于：步骤3中惰性气体为氩气。

9.根据权利要求8所述的一种碳化硅晶体的制备方法，其特征在于：步骤4中降低反应容器内的温度为500℃，充入氩气到常压。