[发明专利]LED芯片及其制作方法以及半导体发光器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202110136144.X | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN112951967B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 冯岩 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LED芯片及其制作方法以及一种半导体发光器件及其制作方法。本发明的LED芯片以DBR作为反射层，所述DBR反射层形成在LED芯片外延层表面，具有台阶结构，覆盖LED芯片第一导电结构、第二导电结构的部分表面，且与第一导电结构、第二导电结构的夹角小于50°。这使得在电极表面形成的电极焊盘避免了断裂或偏薄等问题，进而解决了由此导致的LED芯片漏电、死灯等问题。另外，DBR作为LED芯片的反射层，具有热稳定性能好、工艺流程简单等优点，不仅提高了LED芯片的出光率，还节约了制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 制作方法 以及 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
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