[发明专利]LED芯片及其制作方法以及半导体发光器件及其制作方法

说明书

本发明提供一种LED芯片及其制作方法以及一种半导体发光器件及其制作方法。本发明的LED芯片以DBR作为反射层，所述DBR反射层形成在LED芯片外延层表面，具有台阶结构，覆盖LED芯片第一导电结构、第二导电结构的部分表面，且与第一导电结构、第二导电结构的夹角小于50°。这使得在电极表面形成的电极焊盘避免了断裂或偏薄等问题，进而解决了由此导致的LED芯片漏电、死灯等问题。另外，DBR作为LED芯片的反射层，具有热稳定性能好、工艺流程简单等优点，不仅提高了LED芯片的出光率，还节约了制作成本。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体的，涉及LED芯片及其制作方法以及半导体发光器件及其制作方法。

背景技术

GaN基发光二极管(LED)由于自身的特点已经被广泛应用于照明，背光源，汽车灯等应用领域。为了提高LED芯片的光提取率，目前常用的方法是在LED倒装芯片中采用Ag或DBR(Distributed Bragg Reflector)作为反射层，但在加工过程中，Ag作为反射层的反射率会因温度的升高而降低；而DBR作为反射层具有热稳定性好、工艺流程简单、成本低等优点，因此在小功率倒装芯片的制作过程中应用较为广泛。

在对DBR反射层进行刻蚀时，通常要求刻蚀角度小于50°，然而，现有的刻蚀技术很难达到这一要求。而刻蚀角度过大会出现电极焊盘在蒸镀过程中断裂或偏薄等问题，进而导致LED芯片漏电、死灯等问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明提出了一种LED芯片，所述LED芯片的外延层表面形成有DBR反射层，该DBR结构在外延层的第一半导体层和第二半导体层上方的第一导电结构和第二导电结构上方形成第一焊盘窗口和第二焊盘窗口，在第一焊盘窗口和第二焊盘窗口中形成有第一焊盘和第二焊盘。形成第一焊盘窗口和第二焊盘窗口的侧壁的DBR结构具有台阶结构，上述台阶结构的形成保证了第一焊盘窗口和第二焊盘窗口的侧壁与衬底的的夹角小于50°，从而避免了焊盘窗口的侧壁DBR结构与衬底之间的夹角过大导致的电极焊盘的断裂或偏薄等问题，进而解决了由此导致的LED芯片漏电、死灯等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种LED芯片，所述LED芯片包括：

衬底；

外延层，形成在所述衬底的表面，所述外延层包括依次叠置的第一半导体层、有源层及第二半导体层，所述第一半导体层形成第一台面，所述第二半导体层和所述有源层形成高于所述第一台面的第二台面；

第一导电结构，形成在所述第一台面的表面上，与所述第一半导体层连接；

第二导电结构，形成在所述第二台面的表面上，与所述第二半导体层连接；

DBR反射层，覆盖所述外延层及所述第一导电结构和所述第二导电结构的部分表面，所述DBR结构在所述第一导电结构和所述第二导电结构上方形成第一焊盘窗口和第二焊盘窗口，并且形成所述第一焊盘窗口和所述第二焊盘窗口的所述DBR结构的侧壁具有台阶结构；

第一焊盘，形成在所述第一焊盘窗口中；

第二焊盘，形成在所述第二焊盘窗口中。

可选地，所述DBR反射层包括交替层叠的第一材料层和第二材料层，所述第一材料层和所述第二材料层具有不同的折射率，所述DBR反射层包括20～70对第一材料层和第二材料层构成的反射层对。

可选地，所述第一材料层为TiO₂层和第二材料层为SiO₂层。

可选地，所述第一焊盘窗口和所述第二焊盘窗口的顶部尺寸大于底部尺寸。

可选地，形成所述第一焊盘窗口和所述第二焊盘窗口的所述DBR结构的侧壁相对于衬底表面的倾斜角小于等于50°。

可选地，所述DBR反射层还形成在所述外延层的至少部分侧壁上。