[发明专利]LED芯片及其制作方法以及半导体发光器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202110136144.X | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN112951967B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 冯岩 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 制作方法 以及 半导体 发光 器件 | ||
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：
衬底；
外延层，形成在所述衬底的表面，所述外延层包括依次叠置的第一半导体层、有源层及第二半导体层，所述第一半导体层形成第一台面，所述第二半导体层和所述有源层形成高于所述第一台面的第二台面；
第一导电结构，形成在所述第一台面的表面上，与所述第一半导体层连接；
第二导电结构，形成在所述第二台面的表面上，与所述第二半导体层连接；
DBR反射层，覆盖所述外延层及所述第一导电结构和所述第二导电结构的部分表面，所述DBR反射层在所述第一导电结构和所述第二导电结构上方形成第一焊盘窗口和第二焊盘窗口，并且形成所述第一焊盘窗口和所述第二焊盘窗口的所述DBR反射层的侧壁具有台阶结构；
第一焊盘，形成在所述第一焊盘窗口中，所述第一焊盘窗口的顶部尺寸大于底部尺寸；
第二焊盘，形成在所述第二焊盘窗口中，所述第二焊盘窗口的顶部尺寸大于底部尺寸；
其中，形成所述第一焊盘窗口和所述第二焊盘窗口的所述DBR反射层的侧壁相对于衬底表面的倾斜角小于等于50°。
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述DBR反射层包括交替层叠的第一材料层和第二材料层，所述第一材料层和所述第二材料层具有不同的折射率，所述DBR反射层包括20～70对第一材料层和第二材料层构成的反射层对。
3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述第一材料层为TiO2层和第二材料层为SiO2层。
4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述DBR反射层还形成在所述外延层的至少部分侧壁上。
5.一种半导体发光器件，其特征在于，包括：
封装支架，所述封装支架包括固晶区；
LED芯片，所述LED芯片固定在所述封装支架的所述固晶区，所述LED芯片包括：
衬底；
外延层，形成在所述衬底的表面，所述外延层包括依次叠置的第一半导体层、有源层及第二半导体层，所述第一半导体层形成第一台面，所述第二半导体层和所述有源层形成高于所述第一台面的第二台面；
第一导电结构，形成在所述第一台面的表面上，与所述第一半导体层连接；第二导电结构，形成在所述第二台面的表面上，与所述第二半导体层连接；
DBR反射层，覆盖所述外延层及所述第一导电结构和所述第二导电结构的部分表面，所述DBR反射层在所述第一导电结构和所述第二导电结构上方形成第一焊盘窗口和第二焊盘窗口，并且形成所述第一焊盘窗口和所述第二焊盘窗口的所述DBR反射层的侧壁具有台阶结构；
第一焊盘，形成在所述第一焊盘窗口中，所述第一焊盘窗口的顶部尺寸大于底部尺寸；
第二焊盘，形成在所述第二焊盘窗口中，所述第二焊盘窗口的顶部尺寸大于底部尺寸；
其中，形成所述第一焊盘窗口和所述第二焊盘窗口的所述DBR反射层的侧壁相对于衬底表面的倾斜角小于等于50°；
封装层，所述封装层覆盖所述LED芯片。
6.根据权利要求5所述的半导体发光器件，其特征在于，所述DBR反射层包括交替层叠的第一材料层和第二材料层，所述第一材料层和所述第二材料层具有不同的折射率，所述DBR反射层包括20～70对第一材料层和第二材料层构成的反射层对。
7.根据权利要求6所述的半导体发光器件，其特征在于，所述第一材料层为TiO2层和第二材料层为SiO2层。
8.根据权利要求5所述的半导体发光器件，其特征在于，所述DBR反射层还形成在所述外延层的至少部分侧壁上。
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