[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202110133353.9 | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN112447589A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 李武祥;王诗飞;操梦雅;程建秀 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法。所述制作方法中，在第一绝缘层中的第一开口内形成第一导电结构后，在上方形成导电覆盖层，导电覆盖层贴附着第一导电结构的暴露面，并且延伸到所述第一绝缘层的上表面，然后再在上方形成第二绝缘层以及位于第二绝缘层中的第二导电结构，第一导电结构中的第一金属互联线和第二导电结构中的第二金属互联线电性连接。所述导电覆盖层可起到填补第一金属互联线和第一开口之间的缝隙的作用，在形成第二导电结构后，第一开口顶部不容易产生空洞，从而有助于提升半导体器件的性能和延长半导体器件的寿命。所述半导体器件包括在半导体结构中的第一开口上设置的上述导电覆盖层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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