[发明专利]半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一半导体结构，所述半导体结构的顶层为第一绝缘层，所述第一绝缘层中形成有第一开口，所述第一开口中填充有第一导电结构，所述第一导电结构包括第一金属互联线；

在所述第一开口上形成导电覆盖层，所述导电覆盖层贴附着所述第一导电结构的暴露面，并且延伸到所述第一绝缘层的上表面；

在所述半导体结构上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层和所述导电覆盖层；

形成贯穿所述第二绝缘层的第二开口，并控制所述第二开口的深度使得至少将所述导电覆盖层露出；以及，

在所述第二开口中填充第二导电结构，所述第二导电结构包括第二金属互联线，所述第二金属互联线与所述第一金属互联线电性连接。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一导电结构还包括在所述第一开口的内壁形成并从侧面和底面包围所述第一金属互联线的第一阻挡层；在所述第一开口上形成所述导电覆盖层的步骤中，所述导电覆盖层贴附着所述第一金属互联线和所述第一阻挡层的暴露面。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述第二开口中填充所述第二导电结构之前，还包括对所述第二开口进行湿法清洗的步骤。

4.如权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第二开口将所述导电覆盖层下方的第一金属互联线露出，所述湿法清洗采用酸性清洗液，以去除所述第一金属互联线表面的氧化物。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，控制所述第二开口的深度使得所述第二开口露出所述导电覆盖层的上表面而未露出所述第一金属互联线。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第二开口在所述第一绝缘层平面的正投影全部落入所述第一开口的范围内。

7.如权利要求1至6任一项所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述导电覆盖层的材料包括TaN、TiN、W₂N中的至少一种。

8.如权利要求1至6任一项所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第二绝缘层包括在所述半导体结构上依次叠加形成的第一子绝缘膜和第二子绝缘膜，所述第一子绝缘膜的材料为氮化物掺杂碳化硅，所述第二子绝缘膜的材料为低介电常数材料。

9.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体结构，所述半导体结构的顶层为第一绝缘层，所述第一绝缘层中形成有第一开口，所述第一开口中填充有第一导电结构，所述第一导电结构包括第一金属互联线；

导电覆盖层，位于所述半导体结构上，所述导电覆盖层贴附着所述第一导电结构的暴露面，并且延伸到所述第一绝缘层的上表面；

第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层和所述导电覆盖层，所述第二绝缘层中形成有第二开口，所述第二开口将所述导电覆盖层的上表面露出而未露出所述第一金属互联线；以及，

第二导电结构，填充在所述第二开口内，所述第二导电结构包括第二金属互联线，所述第二金属互联线与所述第一金属互联线电性连接。

10.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体结构，所述半导体结构的顶层为第一绝缘层，所述第一绝缘层中形成有第一开口，所述第一开口中填充有第一导电结构，所述第一导电结构包括第一金属互联线；

导电覆盖层，位于所述半导体结构上，所述导电覆盖层贴附着所述第一导电结构的暴露面，并且延伸到所述第一绝缘层的上表面；

第二绝缘层，覆盖所述导电覆盖层和所述第一绝缘层；

第二开口，所述第二开口贯穿所述导电覆盖层和所述第二绝缘层，且露出所述第一金属互联线；以及，

第二导电结构，填充在所述第二开口内，所述第二导电结构包括第二金属互联线，所述第二金属互联线与所述第一金属互联线电性连接。