[发明专利]激光探测器用陶瓷外壳、激光探测器及制备方法有效
| 申请号: | 202110132406.5 | 申请日: | 2021-01-31 |
| 公开(公告)号: | CN112951926B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
| 发明(设计)人: | 李航舟;彭博;高岭;刘洋;毕大鹏 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/02;H01L31/024;H01L31/18 |
| 代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 付晓娣 |
| 地址: | 050051 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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| 摘要: | 本发明提供了一种激光探测器用陶瓷外壳、激光探测器及陶瓷外壳的制备方法,属于陶瓷封装技术领域,包括陶瓷基座和法兰盘,陶瓷基座具有封装腔;法兰盘设置于陶瓷基座上,法兰盘的外缘凸出于陶瓷基座的外缘;法兰盘凸伸的外缘具有用于安装固定的连接部。本发明提供的激光探测器用陶瓷外壳,通过加大法兰盘的尺寸,并在法兰盘的外缘上设置封装后用于固定安装的连接部,方便封装后的器件在装载平台的安装,降低了对装载平台的要求。本发明能够解决大尺寸金属构件与陶瓷的匹配性问题、高温焊后残余应力及焊接变形补偿问题,实现大尺寸金属构件与大腔体的陶瓷的良好匹配性,保证器件的空间分辨率、成像系统的成像效果及提高信号传输的可靠性。 | ||
| 搜索关键词: | 激光 探测 器用 陶瓷 外壳 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





