[发明专利]激光探测器用陶瓷外壳、激光探测器及制备方法有效
| 申请号: | 202110132406.5 | 申请日: | 2021-01-31 | 
| 公开(公告)号: | CN112951926B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 | 
| 发明(设计)人: | 李航舟;彭博;高岭;刘洋;毕大鹏 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 
| 主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/02;H01L31/024;H01L31/18 | 
| 代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 付晓娣 | 
| 地址: | 050051 *** | 国省代码: | 河北;13 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 激光 探测 器用 陶瓷 外壳 探测器 制备 方法 | ||
本发明提供了一种激光探测器用陶瓷外壳、激光探测器及陶瓷外壳的制备方法,属于陶瓷封装技术领域,包括陶瓷基座和法兰盘,陶瓷基座具有封装腔;法兰盘设置于陶瓷基座上,法兰盘的外缘凸出于陶瓷基座的外缘;法兰盘凸伸的外缘具有用于安装固定的连接部。本发明提供的激光探测器用陶瓷外壳,通过加大法兰盘的尺寸,并在法兰盘的外缘上设置封装后用于固定安装的连接部,方便封装后的器件在装载平台的安装,降低了对装载平台的要求。本发明能够解决大尺寸金属构件与陶瓷的匹配性问题、高温焊后残余应力及焊接变形补偿问题,实现大尺寸金属构件与大腔体的陶瓷的良好匹配性,保证器件的空间分辨率、成像系统的成像效果及提高信号传输的可靠性。
技术领域
本发明属于陶瓷封装技术领域,更具体地说,是涉及一种激光探测器用陶瓷外壳、激光探测器及陶瓷外壳的制备方法。
背景技术
大规模激光探测器被广泛应用于航空和航天遥感成像中,在环境监测、资源普查、地形测绘和军事侦察等领域发挥着重要作用。随着遥感应用技术的发展,人们对成像芯片的集成度、面阵规模提出越来越高的要求。而传统金属封装器件的引出端形式只能通过四边或者两边引出,这样的封装形式决定了引出端数目的增加,大大扩大了金属外壳的封装尺寸。
随着光学成像器件体积、质量、成本等成倍增加,必须重新设计光学系统。较小尺寸的激光探测器会造成成像系统MTF(MTF-Modulation Transfer Function,名称为调制传递函数,是分析镜头的解像比较科学的方法)下降、信噪比降低,影响成像质量。尤其是在红外探测方面,由于红外谱段的特殊性质及红外谱段感光材料的限制,相比于可见光谱段探测器,红外探测器的像元尺寸一般较大,像元间距也较大,在相同的光学系统下,红外谱段图像的分辨率较低。
采用传统的金属外壳方法提高红外相机空间分辨率,将造成卫星相机体积、质量成倍增长,光机结构难以实现,对卫星装载平台要求更苛刻。而采用陶瓷外壳,由于常规的封口环仅仅是为了封装盖板的连接,尺寸较小,这种陶瓷外壳存在连接不方便的问题。而如果采用大尺寸的封口环,则存在封口环与陶瓷外壳不匹配,造成焊接应力和焊接变形,导致器件性能差的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种激光探测器用陶瓷外壳,旨在解决具有常规尺寸小的封口环陶瓷外壳,连接不方便,对装载平台具有更高要求的问题。
本发明提供的激光探测器用陶瓷外壳的制备方法,旨在解决大尺寸的金属构件与大腔体的陶瓷外壳匹配性差,造成器件可靠性能差的问题。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案是:提供一种激光探测器用陶瓷外壳,包括:陶瓷基座和法兰盘,陶瓷基座具有封装腔;法兰盘设置于所述陶瓷基座上,所述法兰盘的外缘凸出于所述陶瓷基座的外缘;所述法兰盘凸伸的外缘具有用于安装固定的连接部。
作为本申请另一实施例,所述法兰盘包括依次相连的第一法兰环、第二法兰环和第三法兰环,所述第一法兰环用于与所述陶瓷基座的连接,所述连接部与第二法兰环连接,所述第三法兰环用于连接封装盖板。
作为本申请另一实施例,所述第一法兰环为便于与陶瓷基座焊接的钼铜合金制件,所述第三法兰环为便于与封装盖板焊接的可伐合金制件。
作为本申请另一实施例,所述第一法兰环的宽度大于所述第三法兰环的宽度,且所述第一法兰环的宽度小于所述陶瓷基座的壁宽。
作为本申请另一实施例,所述封装腔的体积与所述陶瓷基座的体积比,大于等于70%。
作为本申请另一实施例,所述陶瓷基座的厚度大于等于6mm。
作为本申请另一实施例,还包括热沉,所述热沉设置于所述陶瓷基座的底板上,所述热沉的厚度大于所述陶瓷基座的底板的厚度;所述陶瓷基座的底板上设有安装所述热沉的安装口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





