[发明专利]激光探测器用陶瓷外壳、激光探测器及制备方法有效
| 申请号: | 202110132406.5 | 申请日: | 2021-01-31 | 
| 公开(公告)号: | CN112951926B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 | 
| 发明(设计)人: | 李航舟;彭博;高岭;刘洋;毕大鹏 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 
| 主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/02;H01L31/024;H01L31/18 | 
| 代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 付晓娣 | 
| 地址: | 050051 *** | 国省代码: | 河北;13 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 激光 探测 器用 陶瓷 外壳 探测器 制备 方法 | ||
1.一种激光探测器用陶瓷外壳,其特征在于,包括:
陶瓷基座,具有封装腔;
法兰盘,设置于所述陶瓷基座上,所述法兰盘的外缘凸出于所述陶瓷基座的外缘;所述法兰盘凸伸的外缘具有用于安装固定的连接部;
所述法兰盘包括依次相连的第一法兰环、第二法兰环和第三法兰环,所述第一法兰环用于与所述陶瓷基座的连接,所述连接部与第二法兰环连接,所述第三法兰环用于连接封装盖板。
2.如权利要求1所述的激光探测器用陶瓷外壳,其特征在于,所述第一法兰环为便于与陶瓷基座焊接的钼铜合金制件,所述第三法兰环为便于与封装盖板焊接的可伐合金制件。
3.如权利要求1所述的激光探测器用陶瓷外壳,其特征在于,所述第一法兰环的宽度大于所述第三法兰环的宽度,且所述第一法兰环的宽度小于所述陶瓷基座的壁宽。
4.如权利要求1所述的激光探测器用陶瓷外壳,其特征在于,所述封装腔的体积与所述陶瓷基座的体积比,大于等于70%。
5.如权利要求1所述的激光探测器用陶瓷外壳,其特征在于,所述陶瓷基座的厚度大于等于6mm。
6.如权利要求1所述的激光探测器用陶瓷外壳,其特征在于,还包括热沉,所述热沉设置于所述陶瓷基座的底板上,所述热沉的厚度大于所述陶瓷基座的底板的厚度;所述陶瓷基座的底板上设有安装所述热沉的安装口。
7.一种激光探测器,其特征在于,包括:
如权利要求1-6任一项所述的陶瓷外壳;
热沉,设置在所述陶瓷基座的底板上;
制冷器,设置于所述热沉上;
陶瓷转接盘,设置于所述制冷器上,所述陶瓷转接盘的上面设有芯片;和
封装盖板,封装于所述法兰盘上,所述封装盖板的中间设有光窗。
8.一种如权利要求1-6任一项所述的激光探测器用陶瓷外壳的制备方法,其特征在于,包括:
根据陶瓷基座的陶瓷材料的热膨胀系数,选择预设焊接降温曲线;
根据所述预设焊接降温曲线,模拟不同热膨胀系数的金属构件与所述陶瓷基座的焊接过程,找出焊接应力集中的薄弱位置;
选择与所述陶瓷材料的热膨胀系数匹配的金属构件,将所述金属构件与所述陶瓷基座焊接在一起;其中,所述应力集中的薄弱位置避开所述陶瓷基座的腔体四角的薄弱位置;
所述金属构件包括法兰盘和热沉,所述法兰盘设置于所述陶瓷基座的开口部,所述热沉设置在所述陶瓷基座的底板上。
9.如权利要求8所述的激光探测器用陶瓷外壳的制备方法,其特征在于,所述法兰盘包括钼铜合金材质的第一法兰环和可伐合金材质的第三法兰环,所述钼铜合金材质的第一法兰环采用钎焊与所述陶瓷基座焊接;所述可伐合金材质的第三法兰环采用平行缝焊与封装盖板焊接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





