[发明专利]一种氮化硅粉体的制备方法在审
| 申请号： | 202110131932.X | 申请日： | 2021-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN112850665A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 柏小龙 | 申请（专利权）人： | 埃克诺新材料（大连）有限公司 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 116423 辽宁省大*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开一种氮化硅粉体的制备方法。该方法通过将正硅酸四乙酯、硝酸铵、可溶性淀粉、乙醇在去离子水中搅拌并加热至粘稠状原料并在氩气保护气下升温至300摄氏度～350摄氏度，反应得到二氧化硅和碳的混合物，再通入氮气，并在1200摄氏度～1500摄氏度下反应得到氮化硅产物，再加入氮化硅稀释剂并混合均匀得到氮化反应原料，在烧结炉内并通入氮气在1200摄氏度～1500摄氏度下加热得到氮化硅，破碎后经气流磨磨细分级得到高纯氮化硅粉体，进行表面进行活化处理后将高纯硅粉与高纯氮化硅粉体混合均匀后添加到烧结炉内并通入氮气和氢气在1200摄氏度～1300摄氏度下反应得到粒度分布窄的氮化硅粉体，从而提升以该氮化硅为原材料所制备出的氮化硅基板等产品的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 硅粉体 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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