[发明专利]一种氮化硅粉体的制备方法

权利要求书

1.一种氮化硅粉体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、将正硅酸四乙酯、硝酸铵、可溶性淀粉、乙醇在去离子水中搅拌并加热至粘稠状原料；

步骤二、将所述粘稠状原料在氩气保护气下升温至300摄氏度～350摄氏度，反应得到二氧化硅和碳的混合物；

步骤三、向所述二氧化硅和碳的混合物通入氮气，并在1200摄氏度～1500摄氏度下反应得到氮化硅产物；

步骤四、向所述氮化硅产物中加入氮化硅稀释剂并混合均匀得到氮化反应原料；

步骤五、将所述氮化反应原料添加到烧结炉内并通入氮气在1200摄氏度～1500摄氏度下加热得到氮化硅；

步骤六、对所述氮化硅进行破碎后经气流磨磨细分级，得到高纯氮化硅粉体；

步骤七、对所述高纯氮化硅粉体表面进行活化处理；

步骤八、将高纯硅粉与所述高纯氮化硅粉体混合均匀后添加到烧结炉内并通入氮气和氢气在1200摄氏度～1300摄氏度下反应得到氮化硅粉体。

2.根据权利要求1所述的一种氮化硅粉体的制备方法，其特征在于，所述步骤一中，将正硅酸四乙酯、硝酸铵、可溶性淀粉、乙醇在去离子水中搅拌并在30摄氏度～50摄氏度下加热至粘稠状原料。

3.根据权利要求1所述的一种氮化硅粉体的制备方法，其特征在于，所述步骤二中，将所述粘稠状原料在氩气保护气下升温至350摄氏度保持4小时～5小时，反应得到二氧化硅和碳的混合物。

4.根据权利要求1所述的一种氮化硅粉体的制备方法，其特征在于，所述步骤三中，向所述二氧化硅和碳的混合物通入气体流量为0.2L/min～0.5L/min的氮气，并在1500摄氏度下反应得到氮化硅产物。

5.根据权利要求1所述的一种氮化硅粉体的制备方法，其特征在于，所述步骤四中，所述氮化硅稀释剂的添加质量为氮化硅产物的8％～10％。

6.根据权利要求1所述的一种氮化硅粉体的制备方法，其特征在于，所述步骤五中，将所述氮化反应原料添加到烧结炉内并通入氮气在1500摄氏度下加热4小时～6小时得到氮化硅。

7.根据权利要求1所述的一种氮化硅粉体的制备方法，其特征在于，所述步骤八中，将高纯硅粉与所述高纯氮化硅粉体混合均匀后添加到烧结炉内，抽真空后通入氮气和氢气在1300摄氏度下反应得到氮化硅粉体。