[发明专利]中央处理器的制造方法、中央处理器及其控制方法

摘要

本发明实施例提供了一种中央处理器(CPU)的制造方法、CPU及其控制方法。其中，CPU包括：选通层选通层至少一个内核；与所述内核信号连接的N级缓存器；其中，所述N等于三或四；所述N级缓存器中的第N级缓存器包括三维相变存储器；所述三维相变存储器包括多个存储单元；所述存储单元包括：依次层叠设置的第一电极层、选通层、第二电极层、相变存储层和第三电极层；通过所述相变存储器层的晶态与非晶态之间的切换实现数据的存储；通过所述选通层的导通实现电极对所述相变存储器元件的加热或淬火，以实现所述相变存储器层的晶态与非晶态之间的切换。