[发明专利]防止半导体侧壁损坏的方法在审
| 申请号： | 202110119765.7 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN114815509A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 潘习卫 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/26;H01L21/027 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体加工技术领域，公开了一种防止半导体侧壁损坏的方法，通过将透光带固定在透光夹具的一面上，并将多个半导体间隔固定在所述透光带的另一面上，先在多个所述半导体远离所述透光带的一面上形成负干膜，再从所述透光夹具往所述负干膜的方向对所述负干膜进行曝光，使得光线通过透光夹具、透光带，并穿过相邻两个半导体之间的间隔之后，到达负干膜，由于边界效应，使得光线还能够到达半导体上方的一部分区域，从而完成曝光，本发明实施例无需在相邻两个半导体的间隔中采用填充材料，避免了现有技术由于在光刻工艺中采用填充材料导致半导体侧壁损坏的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 半导体 侧壁 损坏 方法 | ||
【主权项】：
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