[发明专利]防止半导体侧壁损坏的方法

说明书

本发明涉及半导体加工技术领域，公开了一种防止半导体侧壁损坏的方法，通过将透光带固定在透光夹具的一面上，并将多个半导体间隔固定在所述透光带的另一面上，先在多个所述半导体远离所述透光带的一面上形成负干膜，再从所述透光夹具往所述负干膜的方向对所述负干膜进行曝光，使得光线通过透光夹具、透光带，并穿过相邻两个半导体之间的间隔之后，到达负干膜，由于边界效应，使得光线还能够到达半导体上方的一部分区域，从而完成曝光，本发明实施例无需在相邻两个半导体的间隔中采用填充材料，避免了现有技术由于在光刻工艺中采用填充材料导致半导体侧壁损坏的问题。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，特别是涉及一种防止半导体侧壁损坏的方法。

背景技术

如图1所示，传统的光刻工艺需要在半导体10表面制作图形，常用的方法是先在半导体10表面涂上感光材料(例如湿菲林)，以便在半导体上形成湿阻涂层20，在曝光时，光线由上往下进行照射，曝光完毕后再进行蚀刻。此外，还可以在半导体侧壁注入填充材料30(即封装胶)，以将填充材料30作为半导体侧壁的保护材料，防止不需要的涂层或蚀刻工艺损坏产品侧壁。然而，这种用大量填充材料的方式在成型后很难去除和清洁，另外，填充材料在固化后也有高应力材料，特别是在脱胶过程中，容易造成半导体的断裂。

发明内容

本发明实施例的目的是提供一种防止半导体侧壁损坏的方法，其能够避免现有技术由于在光刻工艺中采用填充材料导致半导体侧壁损坏的问题。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供一种防止半导体侧壁损坏的方法，包括：

将透光带固定在透光夹具的一面上；

将多个半导体间隔固定在所述透光带的另一面上；

在多个所述半导体远离所述透光带的一面上形成负干膜；

从所述透光夹具往所述负干膜的方向对所述负干膜进行曝光。

作为优选方案，所述从透光夹具往负干膜的方向进行曝光，具体包括：

使用平行光线从透光夹具往负干膜的方向进行曝光。

作为优选方案，所述平行光线为UV光线。

作为优选方案，所述透光带远离所述透光夹具的一面上设有多个透光凸起，所述透光凸起设于相邻两个半导体之间。

作为优选方案，所述透光凸起的形状为半圆柱。

作为优选方案，所述透光带上还设有第一挡板和第二挡板，多个半导体设于所述第一挡板和所述第二挡板之间。

作为优选方案，所述第一挡板由吸光材料制成。

作为优选方案，所述第二挡板由吸光材料制成。

作为优选方案，所述透光带为透明胶带。

相比于现有技术，本发明实施例的有益效果在于：本发明实施例提供了一种防止半导体侧壁损坏的方法，通过将透光带固定在透光夹具的一面上，并将多个半导体间隔固定在所述透光带的另一面上，先在多个所述半导体远离所述透光带的一面上形成负干膜，再从所述透光夹具往所述负干膜的方向对所述负干膜进行曝光，使得光线通过透光夹具、透光带，并穿过相邻两个半导体之间的间隔之后，到达负干膜，由于边界效应，使得光线还能够到达半导体上方的一部分区域，从而完成曝光，本发明实施例无需在相邻两个半导体的间隔中采用填充材料，避免了现有技术由于在光刻工艺中采用填充材料导致半导体侧壁损坏的问题。

附图说明

图1是现有技术中使用填充材料进行曝光的结构示意图；

图2是本发明实施例中使用负干膜进行曝光的结构示意图；

图3是本发明实施例中使用负干膜进行曝光的原理图；