[发明专利]防止半导体侧壁损坏的方法在审

专利信息
申请号: 202110119765.7 申请日: 2021-01-28
公开(公告)号: CN114815509A 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 潘习卫 申请(专利权)人: 东莞新科技术研究开发有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F7/26;H01L21/027
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫
地址: 523087 *** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 防止 半导体 侧壁 损坏 方法
【权利要求书】:

1.一种防止半导体侧壁损坏的方法,其特征在于,包括:

将透光带固定在透光夹具的一面上;

将多个半导体间隔固定在所述透光带的另一面上;

在多个所述半导体远离所述透光带的一面上形成负干膜;

从所述透光夹具往所述负干膜的方向对所述负干膜进行曝光。

2.如权利要求1所述的防止半导体侧壁损坏的方法,其特征在于,所述从透光夹具往负干膜的方向进行曝光,具体包括:

使用平行光线从透光夹具往负干膜的方向进行曝光。

3.如权利要求2所述的防止半导体侧壁损坏的方法,其特征在于,所述平行光线为UV光线。

4.如权利要求2所述的防止半导体侧壁损坏的方法,其特征在于,所述透光带远离所述透光夹具的一面上设有多个透光凸起,所述透光凸起设于相邻两个半导体之间。

5.如权利要求4所述的防止半导体侧壁损坏的方法,其特征在于,所述透光凸起的形状为半圆柱。

6.如权利要求1-4任一项所述的防止半导体侧壁损坏的方法,其特征在于,所述透光带上还设有第一挡板和第二挡板,多个半导体设于所述第一挡板和所述第二挡板之间。

7.如权利要求6所述的防止半导体侧壁损坏的方法,其特征在于,所述第一挡板由吸光材料制成。

8.如权利要求6所述的防止半导体侧壁损坏的方法,其特征在于,所述第二挡板由吸光材料制成。

9.如权利要求1-4任一项所述的防止半导体侧壁损坏的方法,其特征在于,所述透光带为透明胶带。

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