[发明专利]防止半导体侧壁损坏的方法在审
申请号: | 202110119765.7 | 申请日: | 2021-01-28 |
公开(公告)号: | CN114815509A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 潘习卫 | 申请(专利权)人: | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F7/26;H01L21/027 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫 |
地址: | 523087 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 防止 半导体 侧壁 损坏 方法 | ||
1.一种防止半导体侧壁损坏的方法,其特征在于,包括:
将透光带固定在透光夹具的一面上;
将多个半导体间隔固定在所述透光带的另一面上;
在多个所述半导体远离所述透光带的一面上形成负干膜;
从所述透光夹具往所述负干膜的方向对所述负干膜进行曝光。
2.如权利要求1所述的防止半导体侧壁损坏的方法,其特征在于,所述从透光夹具往负干膜的方向进行曝光,具体包括:
使用平行光线从透光夹具往负干膜的方向进行曝光。
3.如权利要求2所述的防止半导体侧壁损坏的方法,其特征在于,所述平行光线为UV光线。
4.如权利要求2所述的防止半导体侧壁损坏的方法,其特征在于,所述透光带远离所述透光夹具的一面上设有多个透光凸起,所述透光凸起设于相邻两个半导体之间。
5.如权利要求4所述的防止半导体侧壁损坏的方法,其特征在于,所述透光凸起的形状为半圆柱。
6.如权利要求1-4任一项所述的防止半导体侧壁损坏的方法,其特征在于,所述透光带上还设有第一挡板和第二挡板,多个半导体设于所述第一挡板和所述第二挡板之间。
7.如权利要求6所述的防止半导体侧壁损坏的方法,其特征在于,所述第一挡板由吸光材料制成。
8.如权利要求6所述的防止半导体侧壁损坏的方法,其特征在于,所述第二挡板由吸光材料制成。
9.如权利要求1-4任一项所述的防止半导体侧壁损坏的方法,其特征在于,所述透光带为透明胶带。
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