[发明专利]一种单片异质集成结构及制备方法在审
| 申请号： | 202110116781.0 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN114823714A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 王磊;单小婷;李博;张学文;高见头;韩郑生;滕瑞;刘海南;赵发展 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单片异质集成结构及制备方法，所述结构，包括：自底向上依次设置的衬底、成核层、缓冲层、化合物半导体层、氧化层及硅层；所述硅层为晶格为100面的硅，以便于在所述硅层上制备器件和电路。在硅层和化合物层之间设置氧化层，可以提高抗信号串扰和抗辐照的能力。所以，解决了现有技术中单片异质集成结构中在Si基晶圆制备器件和电路困难的技术问题，实现了便于半导体器件制备的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单片 集成 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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