[发明专利]一种提高DDR仿真精度的封装模型及其建模方法在审
| 申请号： | 202110115835.1 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN112989753A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 黄刚;吴均 | 申请（专利权）人： | 深圳市一博科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/398 | 分类号： | G06F30/398;G06F115/12 |
| 代理公司： | 深圳市远航专利商标事务所(普通合伙) 44276 | 代理人： | 田志远;袁浩华 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤海街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高DDR仿真精度的封装模型，包括电阻R以及具有阻抗Z和时延TD的传输线模型，电阻R和传输线模型串联，本发明还涉及一种提高DDR仿真精度的封装模型建模方法，在高频信号的封装链路中，通过提取、修正RLC参数，获得修正后的封装模型，用以表征封装链路。本发明利用现有的主芯片仿真模型的RLC参数，进行修正，并串接原电阻，获得修正后的封装模型，通过修正后的封装模型仿真DDR系统的一组数据信号，获得与测试结果相符的仿真结果，本发明提高了DDR仿真精度，确保了仿真结果和测试结果的一致性，为PCB板的设计和调试提供了精确的数据。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 ddr 仿真 精度 封装 模型 及其 建模 方法 | ||
【主权项】：
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