[发明专利]发光二极管外延片制备方法有效
| 申请号： | 202110084111.5 | 申请日： | 2021-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN112993097B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 曹阳;王群;梅劲;陆香花;吕蒙普 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32;H01L33/06;H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开提供了发光二极管外延片制备方法，属于发光二极管制作领域。在n型GaN层与多量子阱层之间插入第一AgGaN插入层，第一AgGaN插入层中的AgGa金属化合物，又可以实现对电子进行有效捕捉，在保持第一AgGaN插入层较薄的前提下，有效阻挡电子并合理控制整体成本。而位于多量子阱层上的第二AgGaN插入层，则可以对多量子阱层内的电子做进一步的限制，减小多量子阱层中电流溢流至p型GaN层内消耗空穴的情况出现，空穴具有更多的时间可以进入多量子阱层，且同时避免了空穴被溢出的电子无意义消耗，进入多量子阱层内的空穴数量大幅度增加，有效提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
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