[发明专利]发光二极管外延片制备方法

说明书

本公开提供了发光二极管外延片制备方法，属于发光二极管制作领域。在n型GaN层与多量子阱层之间插入第一AgGaN插入层，第一AgGaN插入层中的AgGa金属化合物，又可以实现对电子进行有效捕捉，在保持第一AgGaN插入层较薄的前提下，有效阻挡电子并合理控制整体成本。而位于多量子阱层上的第二AgGaN插入层，则可以对多量子阱层内的电子做进一步的限制，减小多量子阱层中电流溢流至p型GaN层内消耗空穴的情况出现，空穴具有更多的时间可以进入多量子阱层，且同时避免了空穴被溢出的电子无意义消耗，进入多量子阱层内的空穴数量大幅度增加，有效提高发光二极管的发光效率。

技术领域

本公开涉及发光二极管制作领域，特别涉及发光二极管外延片制备方法。

背景技术

发光二极管是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，正在被迅速广泛地得到应用，如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源等，提高芯片发光效率是发光二极管不断追求的目标。

发光二极管外延片则是用于制备发光二极管的基础结构，发光二极管外延片至少包括衬底及在衬底上依次层叠的n型GaN层、多量子阱层及p型GaN层，n型GaN层所提供的电子与p型GaN层所提供的空穴在多量子阱层中进行复合以进行发光。但n型GaN层中电子的迁移速度远大于p型GaN层中空穴的迁移速度，容易出现电子迁移过快，电子直接迁移至p型GaN层中，与空穴发生非辐射复合。导致进入多量子阱层的空穴的数量减少，降低发光二极管的发光效率。

发明内容

本公开实施例提供了发光二极管外延片制备方法，能够增加进入多量子阱层的空穴数量以提高发光二极管外延片的发光效率。所述技术方案如下：

本公开实施例提供了一种发光二极管外延片制备方法，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的n型GaN层、第一AgGaN插入层、多量子阱层、第二AgGaN插入层及p型GaN层。

可选地，所述第一AgGaN插入层的厚度为20～50nm。

可选地，所述第二AgGaN插入层的厚度与所述第一AgGaN插入层的厚度之比为1:1～1:2。

可选地，所述第二AgGaN插入层的厚度为20～50nm。

本公开实施例提供了一种发光二极管外延片制备方法，所述发光二极管外延片制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上生长n型GaN层；

在所述n型GaN层上生长第一AgGaN插入层；

在所述第一AgGaN插入层上生长多量子阱层；

在所述多量子阱层上生长第二AgGaN插入层；

在所述第二AgGaN插入层上生长p型GaN层。

可选地，所述第一AgGaN插入层的生长条件与所述第二AgGaN插入层的生长条件相同。

可选地，所述在所述多量子阱层上生长第二AgGaN插入层，包括：

在所述多量子阱层上沉积一层第二Ag膜；

向反应腔内通入Ga源与氨气，所述Ga源、所述氨气与第二Ag膜反应直至形成所述第二AgGaN插入层。

可选地，所述第二Ag膜的生长厚度为20～50。

可选地，向反应腔内通入流量为100～200sccm的Ga源与流量为50～100L的氨气，所述Ga源、所述氨气与第二Ag膜反应直至形成所述第二AgGaN插入层。

可选地，所述第二Ag膜的生长温度为100～300℃，所述第二Ag膜的生长压力为1～5Pa。