[发明专利]发光二极管外延片制备方法有效
| 申请号： | 202110084111.5 | 申请日： | 2021-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN112993097B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 曹阳;王群;梅劲;陆香花;吕蒙普 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32;H01L33/06;H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的n型GaN层、第一AgGaN插入层、多量子阱层、第二AgGaN插入层、电子阻挡层及p型GaN层，所述第一AgGaN插入层的厚度为20～50nm，所述第二AgGaN插入层的厚度与所述第一AgGaN插入层的厚度之比为1:1～1:2，所述第二AgGaN插入层的厚度为20～50nm，
所述电子阻挡层为掺Mg的AlyGa1-yN层，y的范围在0.15～0.25内，所述电子阻挡层的厚度为30～50nm；
所述第二AgGaN插入层通过在所述多量子阱层上沉积一层第二Ag膜，向反应腔内通入Ga源与氨气，所述Ga源、所述氨气与第二Ag膜反应直至形成所述第二AgGaN插入层。
2.一种发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述发光二极管外延片制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长n型GaN层；
在所述n型GaN层上生长第一AgGaN插入层；
在所述第一AgGaN插入层上生长多量子阱层；
在所述多量子阱层上生长第二AgGaN插入层，在所述多量子阱层上沉积一层第二Ag膜，向反应腔内通入Ga源与氨气，所述Ga源、所述氨气与第二Ag膜反应直至形成所述第二AgGaN插入层，所述第一AgGaN插入层的厚度为20～50nm，所述第二AgGaN插入层的厚度与所述第一AgGaN插入层的厚度之比为1:1～1:2，所述第二AgGaN插入层的厚度为20～50nm；
在所述第二AgGaN插入层上生长电子阻挡层，所述电子阻挡层为掺Mg的AlyGa1-yN层，y的范围在0.15～0.25内，所述电子阻挡层的厚度为30～50nm；
在所述电子阻挡层层上生长p型GaN层。
3.根据权利要求2所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述第一AgGaN插入层的生长条件与所述第二AgGaN插入层的生长条件相同。
4.根据权利要求2所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述第二Ag膜的生长厚度为20～50mm。
5.根据权利要求2所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，向反应腔内通入流量为100～200sccm的Ga源与流量为50～100L的氨气，所述Ga源、所述氨气与第二Ag膜反应直至形成所述第二AgGaN插入层。
6.根据权利要求2～5任一项所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述第二Ag膜的生长温度为100～300℃，所述第二Ag膜的生长压力为1～5Pa。
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