[发明专利]埋层对准标识及其制作方法、半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202110074700.5 | 申请日： | 2021-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN112908966A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 范晓 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/68 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种埋层对准标识及其制作方法、半导体器件及其制作方法。其中对准标识制作方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底对准标识区刻蚀形成对准沟槽；根据对准沟槽的形貌，在半导体衬底的表面上形成层间区分层；在层间区分层上，定义出对准标识区，选择性刻蚀去除位于对准标识区以外，半导体衬底第一表面上的层间区分层；在包括对准标识区和外露的第一表面上，通过外延工艺形成外延层。该埋层对准标识根据该埋层对准标识制作方法制作而成，该半导体器件制作方法是根据该埋层对准标识在衬底中制作埋层，在对准该埋层在外延层中进行离子注入。该半导体器件有该半导体器件制作方法制作而成。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 标识 及其 制作方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华虹半导体（无锡）有限公司，未经华虹半导体（无锡）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110074700.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：埋层对准标记及其制作方法
- 下一篇：数据传输方法、装置、计算机设备和存储介质
