[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110055950.4 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN112885724A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 罗军;叶甜春;张丹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体器件及其制造方法，提供掺杂结构，掺杂结构中可以具有掺杂元素，对掺杂结构的表面进行氧化，形成氧化膜，这样氧化膜和掺杂结构的界面处的掺杂元素会发生再分布，使氧化膜下的掺杂结构内部形成分凝杂质层，分凝杂质层的掺杂浓度高于掺杂结构的其他位置的掺杂浓度，在去除氧化膜后，可得到表面掺杂浓度较高的掺杂结构，而无需额外的掺杂工艺，从而在分凝杂质层上形成导体结构后，得到了导体结构和掺杂结构之间的较低的接触电阻，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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