[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

说明书

本申请提供一种半导体器件及其制造方法，提供掺杂结构，掺杂结构中可以具有掺杂元素，对掺杂结构的表面进行氧化，形成氧化膜，这样氧化膜和掺杂结构的界面处的掺杂元素会发生再分布，使氧化膜下的掺杂结构内部形成分凝杂质层，分凝杂质层的掺杂浓度高于掺杂结构的其他位置的掺杂浓度，在去除氧化膜后，可得到表面掺杂浓度较高的掺杂结构，而无需额外的掺杂工艺，从而在分凝杂质层上形成导体结构后，得到了导体结构和掺杂结构之间的较低的接触电阻，提高器件性能。

技术领域

本发明涉及半导体器件领域，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。

背景技术

在半导体器件制造工艺中，可以对本征半导体进行掺杂得到掺杂结构，掺杂结构可以利用金属材料引出，掺杂结构例如可以为源极、漏极、栅极等，金属材料和掺杂结构之间具有较大的电阻，随着器件尺寸的不断缩小，金属材料和掺杂结构之间的电阻逐渐成为影响器件性能的重要因素，如何降低金属材料和掺杂结构之间的电阻，是本领域亟待解决的问题。

目前，可以通过在金属材料和掺杂结构之间形成二者的反应化合物来降低金属材料和掺杂结构之间的电阻，然而实际操作中掺杂结构和反应化合物之间的接触电阻较大，影响器件性能。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种半导体器件及其制造方法，降低了掺杂结构和反应化合物之间的接触电阻，提高器件性能。

本申请实施例提供了一种半导体器件的制造方法，包括：

提供掺杂结构；所述掺杂结构中具有掺杂元素；

对所述掺杂结构的表面进行氧化，形成氧化膜，使所述氧化膜下的掺杂结构内部形成分凝杂质层，所述分凝杂质层的掺杂浓度高于所述掺杂结构的其他位置的掺杂浓度；

去除所述氧化膜；

在所述分凝杂质层上形成导体结构。

可选的，所述在所述掺杂结构上形成导体结构，包括：

在所述掺杂结构上形成导体材料；

通过退火处理使所述掺杂结构和所述导体材料发生反应，形成所述掺杂结构上的反应化合物，作为导体结构。

可选的，所述导体材料包括以下材料的至少一种：Ni、Pt、NiPt、Co、Ti、Ta、W、Ru、Cu、CoTi、TaN、TiN。

可选的，在所述去除所述氧化膜之前，还包括：

通过退火处理激活所述分凝杂杂质层中的掺杂元素。

可选的，所述掺杂结构为源极结构、漏极结构、栅极结构中的至少一个。

可选的，所述掺杂结构的材料包括硅、硅锗或锗。

可选的，所述氧化膜的厚度为0.5-50nm。

本申请实施例提供了一种半导体器件，包括：

掺杂结构；所述掺杂结构中具有掺杂元素；所述掺杂结构内部形成有分凝杂质层，所述分凝杂质层的掺杂浓度高于所述掺杂结构的其他位置的掺杂浓度；

所述分凝杂质层上的导体结构。

可选的，所述导体结构为所述掺杂结构和所述导体材料发生反应形成的反应化合物。

可选的，所述掺杂结构为源极结构、漏极结构、栅极结构中的至少一个。

可选的，所述掺杂结构的材料为硅、硅锗或锗。