[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110055950.4 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN112885724A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 罗军;叶甜春;张丹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供掺杂结构；所述掺杂结构中具有掺杂元素；
对所述掺杂结构的表面进行氧化，形成氧化膜，使所述氧化膜下的掺杂结构内部形成分凝杂质层，所述分凝杂质层的掺杂浓度高于所述掺杂结构的其他位置的掺杂浓度；
去除所述氧化膜；
在所述分凝杂质层上形成导体结构。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述掺杂结构上形成导体结构，包括：
在所述掺杂结构上形成导体材料；
通过退火处理使所述掺杂结构和所述导体材料发生反应，形成所述掺杂结构上的反应化合物，作为导体结构。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述导体材料包括以下材料的至少一种：Ni、Pt、NiPt、Co、Ti、Ta、W、Ru、Cu、CoTi、TaN、TiN。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述去除所述氧化膜之前，还包括：
通过退火处理激活所述分凝杂杂质层中的掺杂元素。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的方法，其特征在于，所述掺杂结构为源极结构、漏极结构、栅极结构中的至少一个。
6.根据权利要求1-4任意一项所述的方法，其特征在于，所述掺杂结构的材料包括硅、硅锗或锗。
7.根据权利要求1-4任意一项所述的方法，其特征在于，所述氧化膜的厚度为0.5-50nm。
8.一种半导体器件，其特征在于，包括：
掺杂结构；所述掺杂结构中具有掺杂元素；所述掺杂结构内部形成有分凝杂质层，所述分凝杂质层的掺杂浓度高于所述掺杂结构的其他位置的掺杂浓度；
所述分凝杂质层上的导体结构。
9.根据权利要求8所述的器件，其特征在于，所述导体结构为所述掺杂结构和所述导体材料发生反应形成的反应化合物。
10.根据权利要求8或9所述的器件，其特征在于，所述掺杂结构为源极结构、漏极结构、栅极结构中的至少一个。
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