[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110015412.2 | 申请日： | 2021-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN114725061A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 颜天才 | 申请（专利权）人： | 广州集成电路技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 谢阅 |
| 地址： | 510000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括衬底、第一介电层、栅极结构、第二介电层、底金属层结构、金属层结构以及导电通孔，在衬底上形成多个间隔的有源区，第一介电层设于衬底上，且填充于相邻两个有源区之间，栅极结构形成在多个有源区的上方，第二介电层形成于第一介电层上方，底金属层结构形成于第二介电层内，且电连接有源区和/或栅极结构，金属层结构形成于第二介电层内，且处于底金属层结构上方，导电通孔形成于第二介电层内，且处于底金属层结构以及金属层结构之间，用以电导通底金属层结构与金属层结构，实现了金属层结构与底金属层结构的并联设置，减小了器件内的总电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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