[发明专利]半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底，在所述衬底上形成多个间隔的有源区；

第一介电层，设于所述衬底上，且填充于相邻两个所述有源区之间；

栅极结构，形成在多个所述有源区的上方；

第二介电层，形成于所述第一介电层上方；

底金属层结构，形成于所述第二介电层内；

金属层结构，形成于所述第二介电层内，且处于所述底金属层结构上方；以及，

导电通孔，形成于所述第二介电层内，且处于所述底金属层结构以及所述金属层结构之间，用以电导通所述底金属层结构与所述金属层结构。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述底金属层结构的正垂直下方不存在有源区或栅极结构。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属层结构包括零层金属线；

所述底金属层结构包括对应所述零层金属线设置的底层金属线；

所述底层金属线与所述零层金属线之间形成有所述导电通孔。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述底层金属线与所述零层金属线之间的所述导电通孔设置多个。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述底层金属线、所述零层金属线以及多个所述导电通孔呈对应设置为连接结构组，所述连接结构组设置多个。

6.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括电源轨，所述零层金属线电连接所述电源轨。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一介电层设置为隔离沟槽结构；和/或，

所述第二介电层设置为层间介电层。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底为硅晶片基底、硅锗基底中的一种。

9.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一衬底；

在所述衬底上形成有源区以及第一介电层；

在所述有源区的上方形成栅极结构；

在所述第一介电层以及所述栅极结构上形成第二介电层、底金属层结构、金属层结构以及导电通孔。

10.如权利要求9所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二介电层包括底分介电层、中分介电层以及上分介电层；

所述步骤在所述第一介电层以及所述栅极结构上形成第二介电层、底金属层结构、金属层结构以及导电通孔包括：

在所述第一介电层以及所述栅极结构上形成底分介电层，蚀刻所述底分介电层的局部位置以形成第一沉积区；

对应在所述第一沉积区形成底金属层结构；

在所述底分介电层以及所述底金属层结构上形成中分介电层，蚀刻所述中分介电层对应所述底金属层结构的位置并填充导电金属以形成导电通孔；

在所述中分介电层以及所述导电通孔上形成上分介电层，蚀刻所述上分介电层对应所述底金属层结构的位置以形成第二沉积区；

对应在所述第二沉积区形成金属层结构。