[发明专利]用于在表面上局部去除和/或更改聚合物材料的方法和设备

摘要

本发明涉及一种用于在晶片(W)的表面(WO)上局部去除和/或更改聚合物材料的方法，所述方法具有以下步骤：a)将掩模(2)相对于所述表面(WO)定向；b)通过所述掩模(2)借助VUV光源(3)将所述表面(WO)局部曝光，其中，同时供应至少包含氧气(O2)的气体混合物；c)以至少包含氮气(N2)和/或氧气(O2)的气体混合物冲洗所述表面(WO)，其中，关断所述VUV光源(3)；d)重复至少所述步骤b)和c)，直到完成所述聚合物材料的去除和/或更改。本发明还涉及一种用于在晶片(W)的表面(WO)上局部去除和/或更改聚合物材料(P)的设备，所述设备具有能够相对于所述表面(WO)以定义的方式定向的掩模(2)，其中，借助布置在所述掩模上方的VUV光源(3)能够将所述表面(WO)曝光，其中，能够将至少包含氮气(N2)和/或氧气(O2)的气体混合物引入到在所述晶片(W)和所述掩模(2)之间的中间空间中。本发明的核心在于，所述设备具有用于固定所述晶片(W)的能够调整的晶片台(1)并且设置用于，在第一运行状态下在所述晶片(W)和所述掩模(2)之间调设曝光间隙GE并且在第二运行状态下在所述晶片(W)和所述掩模(2)之间调设冲洗间隙(GP)，所述冲洗间隙大于所述曝光间隙(GE)。