[发明专利]用于在表面上局部去除和/或更改聚合物材料的方法和设备

说明书

本发明涉及一种用于在晶片(W)的表面(WO)上局部去除和/或更改聚合物材料的方法，所述方法具有以下步骤：a)将掩模(2)相对于所述表面(WO)定向；b)通过所述掩模(2)借助VUV光源(3)将所述表面(WO)局部曝光，其中，同时供应至少包含氧气(O2)的气体混合物；c)以至少包含氮气(N2)和/或氧气(O2)的气体混合物冲洗所述表面(WO)，其中，关断所述VUV光源(3)；d)重复至少所述步骤b)和c)，直到完成所述聚合物材料的去除和/或更改。本发明还涉及一种用于在晶片(W)的表面(WO)上局部去除和/或更改聚合物材料(P)的设备，所述设备具有能够相对于所述表面(WO)以定义的方式定向的掩模(2)，其中，借助布置在所述掩模上方的VUV光源(3)能够将所述表面(WO)曝光，其中，能够将至少包含氮气(N2)和/或氧气(O2)的气体混合物引入到在所述晶片(W)和所述掩模(2)之间的中间空间中。本发明的核心在于，所述设备具有用于固定所述晶片(W)的能够调整的晶片台(1)并且设置用于，在第一运行状态下在所述晶片(W)和所述掩模(2)之间调设曝光间隙GE并且在第二运行状态下在所述晶片(W)和所述掩模(2)之间调设冲洗间隙(GP)，所述冲洗间隙大于所述曝光间隙(GE)。

技术领域

本发明涉及一种用于在晶片的表面上局部去除或者也更改聚合物材料的方法。本发明还涉及一种用于在晶片的表面上局部去除或者也更改聚合物材料的设备。

背景技术

微机电(MEMS)传感器，例如加速度传感器和转速传感器，被封装或者说封盖，以便保护敏感的可运动传感器结构免受颗粒影响并且以便为最终产品提供模具封装。附加地，用封盖能够实现传感器在定义压力条件下的运行。封盖通过将盖晶片与传感器晶片键合的方式来实现。所提到的晶片中的每个都经过一系列技术步骤，以便提供所期望的传感器结构。在键合工艺之前，晶片涂覆有设置用于可运动MEMS结构的防粘层(英语：Anti StictionCoating)并且为每个MEMS芯片都产生相应的键合框架。

所提到的防粘层是薄聚合物层，该薄聚合物层应防止可运动传感器结构在与相邻的传感器结构接触的情况下的粘连。所提到的防粘层在键合工艺之前在批量处理中被施加，该批量处理在具有多个晶片的腔室中进行，其中，所述晶片整面地被涂覆，尽管在可运动传感器结构上仅局部地需要所提到的防粘层。

借助真空紫外辐射(VUV辐射：波长在10nm和200nm之间)对有机杂质或者聚合物进行表面清洁是一种已知的工艺，该工艺例如使用在平板显示器(英语：flat paneldisplay，FPD)的制造中，以便去除光刻胶的残留物。在此，由准分子灯产生例如具有172nm的波长的VUV辐射。

已知，在键合框架上的防粘层在功能测试期间会损坏传感器的鲁棒性，因此目前实现回火工艺，以便从键合框架去除或者说降解防粘层。这是可能的，因为防粘层的热稳定性取决于它所沉积的表面材料。

在此，整个晶片被加热，其中，结果，需要具有不变特性防粘层的传感器结构也暴露于回火温度，从而防粘层的特性发生改变。键合框架的精确局部加热(在微米范围内)在技术上是无法实现的。

从不是在先公开的专利申请DE 1O2018210064.0中已知一种用于在使用光掩模的情况下来局部VUV去涂层的方法和设备。

发明内容

发明任务

本发明的任务是，提供一种特别有效的、用于在表面上局部去除或者也更改聚合物材料的方法。

发明优点

本发明涉及一种用于在晶片的表面上局部去除或者也更改聚合物材料的方法，其具有以下步骤：

a)将掩模相对于所述表面定向；

b)通过所述掩模借助VUV光源将所述表面局部曝光，其中，同时供应至少包含氧气(O2)的气体混合物；

c)以至少包含氮气(N2)和/或氧气(O2)的气体混合物冲洗所述表面，其中，关断所述VUV光源；