[发明专利]用于在表面上局部去除和/或更改聚合物材料的方法和设备

权利要求书

1.一种用于在晶片(W)的表面(WO)上局部去除和/或更改聚合物材料的方法，所述方法具有以下步骤：

a)将掩模(2)相对于所述表面(WO)定向；

b)通过所述掩模(2)借助VUV光源(3)将所述表面(WO)局部曝光，其中，同时供应至少包含氧气(O2)的气体混合物；

c)以至少包含氮气(N2)和/或氧气(O2)的气体混合物冲洗所述表面(WO)，其中，关断所述VUV光源(3)；

d)重复至少所述步骤b)和c)，直到完成所述聚合物材料的去除和/或更改。

2.根据权利要求1所述的用于局部去除和/或更改聚合物材料的方法，其特征在于，在所述步骤b)中，在所述掩模2和所述表面(OW)之间的曝光间隙(GE)中进行曝光，并且，在所述步骤c)中，在所述掩模2和所述表面(OW)之间的冲洗间隙(GP)中进行冲洗，其中，所述冲洗间隙(GP)大于所述曝光间隙(GE)。

3.根据权利要求1或2所述的用于局部去除和/或更改聚合物材料的方法，其特征在于，至少在所述步骤b)和/或c)中，将外部产生的臭氧(O3)和/或氧自由基(O*)供应给所述气体混合物。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的用于局部去除和/或更改聚合物材料的方法，其特征在于，在所述步骤c)中，将所述晶片(W)不平行于所述掩模(2)地定向。

5.一种用于在晶片(W)的表面(WO)上局部去除和/或更改聚合物材料的设备，所述设备具有：

-能够相对于所述表面(WO)以定义的方式定向的掩模(2)；

-其中，借助布置在所述掩模上方的VUV光源(3)能够将所述表面(WO)曝光；

-能够将至少包含氮气(N2)和/或氧气(O2)的气体混合物引入到在所述晶片(W)和所述掩模(2)之间的中间空间中，

其特征在于，所述设备具有用于固定所述晶片(W)的能够调整的晶片台(1)并且设置用于，在第一运行状态下在所述晶片(W)和所述掩模(2)之间调设曝光间隙(GE)并且在第二运行状态下在所述晶片(W)和所述掩模(2)之间调设冲洗间隙(GP)，所述冲洗间隙大于所述曝光间隙(GE)。

6.根据权利要求5所述的用于局部去除和/或更改聚合物材料的设备，其特征在于，所述设备具有用于供应外部产生的臭氧(O3)和/或氧自由基(O*)的气体供应装置(6)。

7.根据权利要求5或6所述的用于局部去除和/或更改聚合物材料的设备，其特征在于，所述能够调整的晶片台(1)构型成能够翻转的，从而所述晶片(W)能够不平行于所述掩模(2)地定向。