[发明专利]半导体试样的检查装置及检查方法在审
| 申请号： | 202080063949.X | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN114364995A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 山田俊毅 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | G01R31/302 | 分类号： | G01R31/302 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;黄浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的检查装置(1)具备：参考信号输出部(24)、去除处理部(25)、增益设定部(26)、及电气特性测定部(28)。参考信号输出部(24)与半导体试样(S)电并联地连接于外部电源装置(2)，且输出与外部电源装置(2)的输出相应的参考信号。去除处理部(25)根据自半导体试样(S)输出的电流信号，基于参考信号而进行将由外部电源装置(2)的输出所产生的噪声成分去除的去除处理，且输出处理信号。增益设定部(26)基于处理信号，设定参考信号输出部的增益的值。电气特性测定部(28)基于已进行去除处理的处理信号，测定半导体试样(S)的电气特性；该去除处理基于来自经增益设定部设定增益的值的参考信号输出部的参考信号而进行。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 试样 检查 装置 方法 | ||
【主权项】：
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