[发明专利]半导体试样的检查装置及检查方法

说明书

本发明的检查装置(1)具备：参考信号输出部(24)、去除处理部(25)、增益设定部(26)、及电气特性测定部(28)。参考信号输出部(24)与半导体试样(S)电并联地连接于外部电源装置(2)，且输出与外部电源装置(2)的输出相应的参考信号。去除处理部(25)根据自半导体试样(S)输出的电流信号，基于参考信号而进行将由外部电源装置(2)的输出所产生的噪声成分去除的去除处理，且输出处理信号。增益设定部(26)基于处理信号，设定参考信号输出部的增益的值。电气特性测定部(28)基于已进行去除处理的处理信号，测定半导体试样(S)的电气特性；该去除处理基于来自经增益设定部设定增益的值的参考信号输出部的参考信号而进行。

技术领域

本发明关于一种半导体试样的检查装置及检查方法。

背景技术

已知有使用OBIRCH(Optical Beam Induced Resistance Change，激光束电阻异常侦测)法检测半导体试样的缺陷部位的半导体试样的检查装置(例如，专利文献1)。检查装置对半导体试样施加电压，基于自半导体试样输出的电流信号，测定伴随着激光束的照射及扫描的半导体试样的电气特性。检查装置基于测定到的电气特性，检查半导体试样的缺陷部位。

[现有技术文献]

[专利文献]

专利文献1：日本特开平6-300824号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

在使用OBIRCH法的半导体试样的检查装置中，若自半导体试样输出的电流信号的强度提高，则伴随着激光束的照射及扫描的半导体试样的电气特性的变化量提高。该电气特性的变化量越提高，则半导体试样的缺陷部位的检查精度也越提高。因此，谋求对半导体试样供给的电力的提高。然而，使用OBIRCH法的检查装置针对激光束的照射及扫描、显微镜部的动作、以及测定结果的图像处理等各种功能需要电力。因此，自检查装置的内部电源能够对半导体试样供给的电力受限。

为了提高对半导体试样供给的电力，而考虑不仅自检查装置的内部电源，还自外部电源装置对半导体试样供给电力。然而，在使用外部电源装置的情形下，有因外部电源装置引起的正常模式噪声(normal mode noise)混入自半导体试样输出的电流信号的担忧。正常模式噪声为例如开关噪声。若噪声混入自半导体试样输出的电流信号，则对半导体试样的电气特性的测定结果也造成噪声的影响。因此，即便通过外部电源装置，而对半导体试样供给的电力提高，也有因噪声的影响，反而，半导体试样的缺陷部位的检查精度降低的担忧。

本发明的一形态的目的在于提供一种能够提高半导体试样的缺陷部位的检查精度的半导体试样的检查装置。本发明的另一形态的目的在于提供一种能够提高半导体试样的缺陷部位的检查精度的半导体试样的检查方法。

[解决问题的技术手段]

本发明的一形态的半导体试样的检查装置为用于测定由外部电源装置予以施加电压且经照射及扫描光的半导体试样的电气特性，且基于该电气特性而检测半导体试样的缺陷部位的检查装置。该检查装置具备：参考信号输出部、去除处理部、增益设定部、及电气特性测定部。参考信号输出部与半导体试样电并联地连接于外部电源装置，且输出与外部电源装置的输出相应的参考信号。去除处理部基于参考信号而对根据外部电源装置的电压施加而自半导体试样输出的被检测信号，进行将由外部电源装置的输出所产生的噪声成分去除的去除处理，且将已进行去除处理的被检测信号作为处理信号而输出。增益设定部基于处理信号的强度，设定相应于外部电源装置的输出而输出参考信号的参考信号输出部的增益。电气特性测定部基于已进行去除处理的处理信号，测定半导体试样的电气特性；该去除处理基于来自经增益设定部设定增益的参考信号输出部的参考信号而进行。