[发明专利]半导体试样的检查装置及检查方法

权利要求书

1.一种半导体试样的检查装置，其中，

是用于测定由外部电源装置施加电压且经照射及扫描光的半导体试样的电气特性，且基于该电气特性而检测所述半导体试样的缺陷部位的检查装置，

具备：

参考信号输出部，其与所述半导体试样电并联地连接于外部电源装置，且输出与所述外部电源装置的输出相应的参考信号；

去除处理部，其基于所述参考信号，而对被检测信号进行将由所述外部电源装置的输出所产生的噪声成分去除的去除处理，且将已进行所述去除处理的所述被检测信号作为处理信号而输出；该被检测信号根据所述外部电源装置的电压的施加而自所述半导体试样被输出；

增益设定部，其基于所述处理信号的强度，设定所述参考信号输出部的增益；该参考信号输出部相应于所述外部电源装置的输出而输出所述参考信号；及

电气特性测定部，其基于已进行所述去除处理的所述处理信号，测定所述半导体试样的电气特性；该去除处理基于来自经所述增益设定部设定所述增益的所述参考信号输出部的所述参考信号而进行。

2.如权利要求1所述的检查装置，其中，

所述增益设定部取得将所述增益设定为互不相同的多个值的各个情况下的所述处理信号的强度，将所述增益设定为经判断为所述处理信号的强度为最小的值。

3.如权利要求2所述的检查装置，其中，

所述增益设定部针对与所述增益的值对应的比特流，利用二分搜寻法，自最上位的位侧决定所述比特流的各位的值，而将所述增益设定为经判断为所述处理信号的强度为最小的值。

4.如权利要求2或3所述的检查装置，其中，

所述参考信号输出部包含输出所述参考信号的放大器；

所述增益设定部在较所述放大器的频带中的最小频率的周期为长的期间，对所述处理信号的强度进行取样，而取得所述处理信号的强度。

5.如权利要求4所述的检查装置，其中，

所述增益设定部以较所述放大器的频带中的最大频率的周期为短的取样周期，对所述处理信号的强度进行取样。

6.如权利要求1至5中任一项所述的检查装置，其中，

所述增益设定部取得所述处理信号的强度的峰值，基于所述峰值设定所述增益。

7.一种检查方法，其为半导体试样的检查方法，

包含：

由外部电源装置对所述半导体试样施加电压；

取得被检测信号，该被检测信号相应于所述外部电源装置的电压施加而自所述半导体试样被输出；

取得参考信号，该参考信号相应于所述外部电源装置的输出，而自参考信号输出部被输出，该参考信号输出部与所述半导体试样电并联地连接于所述外部电源装置；

对由所述外部电源装置施加电压的半导体试样，照射及扫描光；

取得处理信号，该处理信号是已基于所述参考信号对所述被检测信号进行将由所述外部电源装置的输出所产生的噪声成分去除的去除处理的信号；

基于所述处理信号的强度，设定相应于所述外部电源装置的输出而输出所述参考信号的所述参考信号输出部的增益；

基于已进行所述去除处理的所述处理信号，测定所述半导体试样的电气特性；该去除处理基于来自经设定所述增益的所述参考信号输出部的所述参考信号而进行；及

基于所述半导体试样的电气特性，输出所述半导体试样的缺陷部位。