[发明专利]用于存储器内矩阵乘法的基于温度的调整在审

专利信息
申请号: 202080040319.0 申请日: 2020-05-08
公开(公告)号: CN113924621A 公开(公告)日: 2022-01-11
发明(设计)人: 马吉德·瓦拉德贝吉;阿明·法玛希尼-法拉哈尼;苏丹瓦·古鲁穆提 申请(专利权)人: 超威半导体公司
主分类号: G11B33/14 分类号: G11B33/14
代理公司: 上海胜康律师事务所 31263 代理人: 樊英如;张静
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了考虑存储器中的温度变化的用于执行存储器内矩阵乘法的技术。在一个示例中,矩阵乘法存储器使用欧姆乘法与电流求和来执行矩阵乘法中涉及的点积。这种模拟形式的乘法的一个缺点是温度影响结果的准确度。因此,本文提供了补偿温度升高对存储器内矩阵乘法的准确度的影响的技术。根据这些技术,输入矩阵的部分被分类为有效或无效。有效部分被映射到存储器内矩阵乘法器的低温区域,并且无效部分被映射到存储器内矩阵乘法器的高温区域。然后,执行矩阵乘法。
搜索关键词: 用于 存储器 矩阵 乘法 基于 温度 调整
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于超威半导体公司,未经超威半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202080040319.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top