[发明专利]集成电路系统、DRAM电路系统、用于形成集成电路系统的方法及用于形成DRAM电路系统的方法

摘要

一种用于形成集成电路系统的方法包括形成包括导电材料的多个导电通路。所述导电通路通过中间材料相对于彼此间隔。在所述通路的所述导电材料顶部上及在介于所述通路之间的所述中间材料顶部上形成不连续材料。在所述不连续材料顶部上、直接抵靠所述不连续材料及在所述不连续材料之间并且在所述通路的所述导电材料顶部上及直接抵靠所述通路的所述导电材料形成金属材料。所述金属材料具有与所述不连续材料的成分不同的成分并且在介于所述通路之间的所述中间材料之上。形成在其之下具有不连续材料的所述金属材料以包括在介于所述通路之间并且直接抵靠所述通路中的个别者的所述中间材料顶部上的导电线。揭示独立于方法的结构。