[发明专利]集成电路系统、DRAM电路系统、用于形成集成电路系统的方法及用于形成DRAM电路系统的方法

说明书

一种用于形成集成电路系统的方法包括形成包括导电材料的多个导电通路。所述导电通路通过中间材料相对于彼此间隔。在所述通路的所述导电材料顶部上及在介于所述通路之间的所述中间材料顶部上形成不连续材料。在所述不连续材料顶部上、直接抵靠所述不连续材料及在所述不连续材料之间并且在所述通路的所述导电材料顶部上及直接抵靠所述通路的所述导电材料形成金属材料。所述金属材料具有与所述不连续材料的成分不同的成分并且在介于所述通路之间的所述中间材料之上。形成在其之下具有不连续材料的所述金属材料以包括在介于所述通路之间并且直接抵靠所述通路中的个别者的所述中间材料顶部上的导电线。揭示独立于方法的结构。

技术领域

本文揭示的实施例涉及集成电路系统、DRAM电路系统、用于形成集成电路系统的方法及用于形成DRAM电路系统的方法。

背景技术

存储器是一种类型的集成电路，并且在计算机系统中用于存储数据。存储器可制造成个别存储器单元的一或多个阵列。可使用数字线(也可称为位线、数据线或感测线)及存取线(也可称为字线)来写入或读取存储器单元。数字线可沿着阵列的列导电地互连存储器单元，并且存取线可沿着阵列的行导电地互连存储器单元。可通过数字线及存取线的组合来唯一地寻址每一存储器单元。

存储器单元可为易失性的、半易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元可在没有电力的情况下长时间存储数据。常规地将非易失性存储器指定为具有至少约10年的保留时间的存储器。易失性存储器会耗散，因此经刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有几毫秒或更少的保持时间。无论如何，存储器单元经配置以将存储器保留或存储在至少两个不同的可选状态中。在二进制系统中，状态被视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储多于两个信息电平或状态。

电容器是可用在存储器单元中的一种类型的电子组件。电容器具有由电绝缘材料分离的两个电导体。能量可作为电场静电地存储在此材料内。取决于绝缘体材料的成分，所述存储场将是易失性的或非易失性的。举例来说，仅包含SiO₂的电容器绝缘体材料将是易失性的。一种类型的非易失性电容器是铁电电容器，其具有作为绝缘材料的至少部分的铁电材料。铁电材料的特征在于具有两个稳定极化状态，且因此可包括电容器及/或存储器单元的可编程材料。铁电材料的极化状态可通过施加合适编程电压来改变，并且在去除编程电压之后保持(至少在一段时间内保持)。每一极化状态具有彼此不同的电荷存储电容，并且理想地，其可用以写入(即，存储)及读取存储器状态，而无需反转极化状态，直到期望此反转为止。不太合意的是，在具有铁电电容器的一些存储器中，读取存储器状态的动作可使极化反转。因此，在确定极化状态时，在其确定之后立即进行存储器单元的重写以将存储器单元置于读取前状态中。无论如何，由于形成铁电电容器的一部分的铁电材料的双稳态特性，理想地，并入所述电容器的存储器单元是非易失性的。其它可编程材料可用作电容器绝缘体，以使电容器为非易失性的。

场效应晶体管是可用在存储器单元中的另一类型的电子组件。这些晶体管包括一对导电源极/漏极区，其间具有半导体沟道区。导电栅极邻近沟道区并通过薄栅极绝缘体与其分离。向栅极施加合适电压允许电流通过沟道区从源极/漏极区中的一者流到另一者。当从栅极去除电压时，在很大程度上防止电流流过沟道区。场效应晶体管还可包含额外结构，例如可逆可编程电荷存储区，作为栅极绝缘体与导电栅极之间的栅极构造的部分。无论如何，栅极绝缘体可为可编程的，例如是铁电的。

闪存是一种类型的存储器，并且在现代计算机及装置中具有众多用途。例如，现代个人计算机可具有存储在闪存芯片上的BIOS。作为另一实例，计算机及其它装置越来越普遍地在固态驱动器中利用闪存来代替常规硬盘驱动器。作为又一实例，闪存在无线电子装置中很流行，因为其使制造商能够在新的通信协议变得标准化时支持所述通信协议，并且提供远程升级装置以增强特征的能力。